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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統(tǒng)電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經(jīng)過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現(xiàn)綠電的能量轉(zhuǎn)換，英飛凌能提供一站式半導(dǎo)體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術(shù)驅(qū)動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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貿(mào)澤贊助的Vasser Sullivan Lexus車隊在IMSA本賽季開幕戰(zhàn)中表現(xiàn)出色
2022年2月28日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 祝賀Vasser Sullivan Lexus車隊在代托納（佛羅里達）國際賽道舉辦的2022年IMSA WeatherTech跑車錦標(biāo)賽開幕戰(zhàn)中取得佳績。
2022-02-28
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面向電源電路的MLCC解決方案
在車載領(lǐng)域，車載ADAS ECU和自動駕駛ECU等需要高級圖像處理系統(tǒng)的CPU和FPGA，隨著系統(tǒng)的高性能化和高功能化，需要高速運行和大電流驅(qū)動。另外，在ICT領(lǐng)域，服務(wù)器等需要大功率的成套設(shè)備則需要可支持大電流的電源配置。如上所述的高性能、高功能化系統(tǒng)的電源線就有著高速動作、大電流化的傾向。同時，需要使用因處理器小型化而降低的公稱電壓保持在較窄的容許范圍內(nèi)的電源配置。
2022-02-28
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4通道QFN封裝射頻GaAs 多功能MMIC
用于為Ku波段衛(wèi)星移動通信有源相控陣天線被用于接收和發(fā)射MMIC多功能芯片使用開發(fā)0.25 微米的p HEMT的商業(yè)方法。多功能芯片由4通道分合路組成，每個通道提供多種功能，例如6位數(shù)字相移功能，5位數(shù)字衰減功能和信號放大功能。將MMIC多功能芯片組裝在尺寸為7 mm×7 mm的商用QFN封裝中后，對其進行測量，該芯片的尺寸為27 mm^2（5.2 mm×5.2 mm）。
2022-02-28
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10萬平米、9大展區(qū)！CITE2022展區(qū)設(shè)置圖來了
第十屆中國電子信息博覽會（CITE2022）展示面積達100,000平米，展示領(lǐng)域緊跟行業(yè)重點，并根據(jù)行業(yè)實時熱點融入新的展示領(lǐng)域，涵蓋智慧家庭、智能終端、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、第三代功率半導(dǎo)體、IC設(shè)計、超高清視頻、3D玻璃蓋板、半導(dǎo)體顯示屏、AR/VR、AI+數(shù)字孿生、機器人、消費電子、大數(shù)據(jù)與存儲、車聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、傳感器、跨境生態(tài)、燃料電池、充電技術(shù)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、信息技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新產(chǎn)、基礎(chǔ)元器件、特種元器件等熱門話題。
2022-02-24
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Silicon Labs CTO：Matter標(biāo)準(zhǔn)將加速推進智能家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
經(jīng)歷了2021的全球缺芯潮，我們迎來了2022 年，今年，世衛(wèi)組織認(rèn)為新冠疫情會得到控制，隨著疫情影響減弱，以及AIOT、智慧家居市場、老年健康市場走熱，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會有哪些新的變化？電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪數(shù)十位半導(dǎo)體高管，并以"行業(yè)領(lǐng)袖看2022”系列問答形式向業(yè)界傳達知名半導(dǎo)體眼中的2022 ，這是該系列第五篇報道---來自Silicon Labs首席技術(shù)官Daniel Cooley的答復(fù)。
2022-02-18
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Digi-Key 宣布與 SPARK Microsystems 達成全球分銷協(xié)議
全球供應(yīng)品類極豐富、發(fā)貨超快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商Digi-Key Electronics，日前宣布與SPARK Microsystems達成全球分銷協(xié)議，為高性能個人局域網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備提供超低功耗無線通信器件。
2022-02-17
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集成驅(qū)動器！原來，GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強……因此可實現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動能力、更快的開關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應(yīng)用領(lǐng)域，不斷在向傳統(tǒng)的硅基IGBT和MOSFET器件發(fā)起強勁的沖擊。
2022-02-17
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對稱的布板設(shè)計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
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貿(mào)澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索電子設(shè)計中的電源效率
專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Qorvo?攜手推出全新電子書《Powering Up Your Design》（讓電源管理為設(shè)計注入活力），重點介紹新一代技術(shù)和器件如何受益于高效電源管理。本書中，來自Qorvo和貿(mào)澤的行業(yè)專家對電源管理中至關(guān)重要的元件、架構(gòu)和應(yīng)用進行了深入分析。
2022-02-17
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉(zhuǎn)換器的性能通常歸結(jié)到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術(shù)能兼顧這兩點。
2022-02-16
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場的NCP1680臨界導(dǎo)通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
2022-02-15
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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