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用SiC FET固態(tài)斷路器取代機(jī)械斷路器可行嗎？
機(jī)械斷路器損耗低，但是速度慢而且會(huì)磨損。采用SiC FET的固態(tài)斷路器可以解決這些問(wèn)題且其損耗開(kāi)始降低。
2022-03-06
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基于CoolSiC的高速高性能燃料電池空壓機(jī)設(shè)計(jì)
燃料電池用空壓機(jī)開(kāi)關(guān)頻率高，空間有限，集成度高，采用單管設(shè)計(jì)的主要挑戰(zhàn)是如何提高散熱效率。本設(shè)計(jì)中功率器件和散熱器采用DBC+焊接工藝，提高了SiC MOSFET的輸出電流能力，從而有效降低了系統(tǒng)成本的，并且簡(jiǎn)化安裝方式。
2022-03-03
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【微控制器基礎(chǔ)】——從歷史切入，了解微控制器的五個(gè)要素（上）
要說(shuō)起微控制器的歷史，就不得不提起距今51年前的1971年，那時(shí)，美國(guó)英特爾公司開(kāi)發(fā)了第一款名為i4004d的4位微控制器。它由一家日本BUSICOM公司訂購(gòu)，并用于其計(jì)算器設(shè)計(jì)。后來(lái)因?yàn)楹贤兏?，它成功地作為通用微控制器正式出售。隨后英特爾又開(kāi)發(fā)了“i8008”、“i8080A”和“i8085”等8位微控制器，繼這之后，英特爾公司又開(kāi)發(fā)了16位微控制器“8086”，自此微控制器開(kāi)啟了多樣化發(fā)展之路。
2022-03-02
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機(jī)都在高速增長(zhǎng)，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統(tǒng)電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經(jīng)過(guò)逆變器中DC/DC，DC/AC電路實(shí)現(xiàn)綠電的能量轉(zhuǎn)換，英飛凌能提供一站式半導(dǎo)體解決方案包括650V功率器件、無(wú)核變壓器CT技術(shù)驅(qū)動(dòng)IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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貿(mào)澤贊助的Vasser Sullivan Lexus車隊(duì)在IMSA本賽季開(kāi)幕戰(zhàn)中表現(xiàn)出色
2022年2月28日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 祝賀Vasser Sullivan Lexus車隊(duì)在代托納（佛羅里達(dá)）國(guó)際賽道舉辦的2022年IMSA WeatherTech跑車錦標(biāo)賽開(kāi)幕戰(zhàn)中取得佳績(jī)。
2022-02-28
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面向電源電路的MLCC解決方案
在車載領(lǐng)域，車載ADAS ECU和自動(dòng)駕駛ECU等需要高級(jí)圖像處理系統(tǒng)的CPU和FPGA，隨著系統(tǒng)的高性能化和高功能化，需要高速運(yùn)行和大電流驅(qū)動(dòng)。另外，在ICT領(lǐng)域，服務(wù)器等需要大功率的成套設(shè)備則需要可支持大電流的電源配置。如上所述的高性能、高功能化系統(tǒng)的電源線就有著高速動(dòng)作、大電流化的傾向。同時(shí)，需要使用因處理器小型化而降低的公稱電壓保持在較窄的容許范圍內(nèi)的電源配置。
2022-02-28
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4通道QFN封裝射頻GaAs 多功能MMIC
用于為Ku波段衛(wèi)星移動(dòng)通信有源相控陣天線被用于接收和發(fā)射MMIC多功能芯片使用開(kāi)發(fā)0.25 微米的p HEMT的商業(yè)方法。多功能芯片由4通道分合路組成，每個(gè)通道提供多種功能，例如6位數(shù)字相移功能，5位數(shù)字衰減功能和信號(hào)放大功能。將MMIC多功能芯片組裝在尺寸為7 mm×7 mm的商用QFN封裝中后，對(duì)其進(jìn)行測(cè)量，該芯片的尺寸為27 mm^2（5.2 mm×5.2 mm）。
2022-02-28
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10萬(wàn)平米、9大展區(qū)！CITE2022展區(qū)設(shè)置圖來(lái)了
第十屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE2022）展示面積達(dá)100,000平米，展示領(lǐng)域緊跟行業(yè)重點(diǎn)，并根據(jù)行業(yè)實(shí)時(shí)熱點(diǎn)融入新的展示領(lǐng)域，涵蓋智慧家庭、智能終端、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、第三代功率半導(dǎo)體、IC設(shè)計(jì)、超高清視頻、3D玻璃蓋板、半導(dǎo)體顯示屏、AR/VR、AI+數(shù)字孿生、機(jī)器人、消費(fèi)電子、大數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)、車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、傳感器、跨境生態(tài)、燃料電池、充電技術(shù)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、信息技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新產(chǎn)、基礎(chǔ)元器件、特種元器件等熱門話題。
2022-02-24
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Silicon Labs CTO：Matter標(biāo)準(zhǔn)將加速推進(jìn)智能家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
經(jīng)歷了2021的全球缺芯潮，我們迎來(lái)了2022 年，今年，世衛(wèi)組織認(rèn)為新冠疫情會(huì)得到控制，隨著疫情影響減弱，以及AIOT、智慧家居市場(chǎng)、老年健康市場(chǎng)走熱，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)有哪些新的變化？電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪數(shù)十位半導(dǎo)體高管，并以"行業(yè)領(lǐng)袖看2022”系列問(wèn)答形式向業(yè)界傳達(dá)知名半導(dǎo)體眼中的2022 ，這是該系列第五篇報(bào)道---來(lái)自Silicon Labs首席技術(shù)官Daniel Cooley的答復(fù)。
2022-02-18
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Digi-Key 宣布與 SPARK Microsystems 達(dá)成全球分銷協(xié)議
全球供應(yīng)品類極豐富、發(fā)貨超快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商Digi-Key Electronics，日前宣布與SPARK Microsystems達(dá)成全球分銷協(xié)議，為高性能個(gè)人局域網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備提供超低功耗無(wú)線通信器件。
2022-02-17
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集成驅(qū)動(dòng)器！原來(lái)，GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更快的開(kāi)關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應(yīng)用領(lǐng)域，不斷在向傳統(tǒng)的硅基IGBT和MOSFET器件發(fā)起強(qiáng)勁的沖擊。
2022-02-17
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過(guò)門特卡羅分析來(lái)演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
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