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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計(jì)。
2022-07-04
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Trinamic步進(jìn)電機(jī)控制模塊助力抗擊瘧疾
瘧疾是世界上最致命的傳染病之一。這種疾病在亞洲、非洲和南美洲的熱帶地區(qū)十分常見(jiàn)，越早診斷，越能有效治療。標(biāo)準(zhǔn)瘧疾檢測(cè)需要由訓(xùn)練有素的技術(shù)人員在顯微鏡下檢測(cè)血液樣本，以確認(rèn)是否存在瘧原蟲(chóng)，以及瘧原蟲(chóng)的數(shù)量和類(lèi)型。僅在印度，每年就會(huì)進(jìn)行1.75億次瘧疾檢測(cè)。
2022-07-04
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Spectricity在X-FAB部署專(zhuān)有技術(shù)，為移動(dòng)設(shè)備帶來(lái)光譜成像功能
中國(guó)北京，2022年6月29日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，與專(zhuān)注多光譜成像技術(shù)研發(fā)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Spectricity攜手，推出獨(dú)特成像解決方案。來(lái)自Spectricity的專(zhuān)有光譜成像技術(shù)已部署在X-FAB工藝平臺(tái)的量產(chǎn)設(shè)備中；此舉將首次實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備光譜圖像傳感器的低成本制造。
2022-07-02
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貿(mào)澤電子連續(xù)第五年榮獲Littelfuse年度全球分銷(xiāo)商獎(jiǎng)
2022年6月30日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲Littelfuse頒發(fā)的2021年度全球卓越服務(wù)分銷(xiāo)商獎(jiǎng)。Littelfuse是一家致力于打造一個(gè)可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全世界的工業(yè)技術(shù)制造公司。這是貿(mào)澤連續(xù)第5年、歷年來(lái)第11次獲得這項(xiàng)大獎(jiǎng)。
2022-07-02
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貿(mào)澤電子榮獲Bourns 2021年度全球電子商務(wù)分銷(xiāo)商大獎(jiǎng)
2022年6月28日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) ?自豪地宣布榮獲業(yè)界知名電子元件制造商和供應(yīng)商Bourns? Inc頒發(fā)的2021年度電子商務(wù)分銷(xiāo)商大獎(jiǎng)。這個(gè)大獎(jiǎng)旨在表彰貿(mào)澤通過(guò)其卓越的設(shè)計(jì)創(chuàng)新能力，在電子商務(wù)中取得的銷(xiāo)售成功和業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。
2022-07-01
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SiC FET的起源及其向著完美開(kāi)關(guān)發(fā)展的歷程
使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開(kāi)關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開(kāi)關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書(shū)追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-07-01
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在IC電源管理這個(gè)新領(lǐng)域，有哪些物聯(lián)網(wǎng)最佳應(yīng)用？
本文探討物聯(lián)網(wǎng)(IoT)電池技術(shù)。將描述設(shè)計(jì)人員面臨的一些電源問(wèn)題，以及ADI公司提供的解決方案。這些解決方案非常高效，可以幫助克服物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的其他問(wèn)題，包括尺寸、重量和溫度。
2022-06-28
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適用于任何化學(xué)物的簡(jiǎn)單電池充電器IC
許多由電池供電的設(shè)備通常需要各種各樣的充電電源、電池化學(xué)組成、電壓和電流。例如，隨著適合所有類(lèi)型電池化學(xué)組成的新型大電池組出現(xiàn)，功能豐富的高端消費(fèi)型、醫(yī)療、工業(yè)和汽車(chē)電池充電器電路都需要更高電壓和電流。此外，支持寬功率范圍的太陽(yáng)能電池板也用于為各種采用可充電密封鉛酸(SLA)電池和鋰電池的創(chuàng)新系統(tǒng)供電。例如人行道信號(hào)燈、便攜式揚(yáng)聲器系統(tǒng)、垃圾壓實(shí)機(jī)，甚至海上浮標(biāo)燈。此外，太陽(yáng)能應(yīng)用中的一些鉛酸(LA)電池是深循環(huán)電池，除了深度放電之外，還能長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)充電。深海浮標(biāo)就是一個(gè)很好的實(shí)例，要求具備10年使用壽命。另一個(gè)示例是離網(wǎng)型（即與電力公司斷開(kāi)連接）可再生能源系統(tǒng)（如太陽(yáng)能或風(fēng)能發(fā)電），由于難以靠近維護(hù)，這些系統(tǒng)必須持久運(yùn)行。
2022-06-28
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷(xiāo)豐富多樣的Renesas產(chǎn)品
2022年6月22日 –提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Renesas Electronics解決方案的全球授權(quán)分銷(xiāo)商。貿(mào)澤備有4300多種Renesas產(chǎn)品，包括Dialog Semiconductor、Integrated Device Technology (IDT) 和Intersil公司的產(chǎn)品，并提供了一系列Renesas創(chuàng)新解決方案，幫助采購(gòu)人員和工程師將其產(chǎn)品推向市場(chǎng)。
2022-06-22
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TP8312滿(mǎn)足0.9V低電壓工作的一節(jié)兩節(jié)干電池升壓IC解決方案
干電池是一種利用糊狀電解質(zhì)產(chǎn)生直流電的化學(xué)電池(濕電池是一種利用液體電解質(zhì)的化學(xué)電池)，屬于一次電池，在日常生活中應(yīng)用廣泛，便于攜帶。隨著便攜式AV設(shè)備及IT設(shè)備的普及,干電池已成為一種應(yīng)用非常廣泛的可移動(dòng)能源。正常一節(jié)干電池的電壓最高1.6V左右，放電到最低0.9V終止放電；兩節(jié)干電池串聯(lián)輸出電壓是3.2V-1.8V之間。大多數(shù)移動(dòng)設(shè)備正常工作都需要一定的恒定電壓，一般是3V-5V，以保證系統(tǒng)正常運(yùn)行。所以在以一節(jié)兩節(jié)干電池為電源的移動(dòng)設(shè)備，需要可以滿(mǎn)足0.9V低電壓工作的升壓芯片給系統(tǒng)供電。
2022-06-22
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Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據(jù)中心夯實(shí)創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個(gè)月以來(lái)，獲得產(chǎn)業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過(guò) 50 張認(rèn)證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構(gòu)的 Ampere? Altra? 處理器的服務(wù)器獲得 SystemReady SR 認(rèn)證，成為首個(gè)獲得認(rèn)證的云服務(wù)提供商服務(wù)器，其搭載Arm架構(gòu)的Ampere Altra 處理器的Azure虛擬機(jī)系列也是首批獲得新的 Arm SystemReady VE （Virtual Environment，虛擬環(huán)境）認(rèn)證的虛擬系統(tǒng)。此外，Arm在中國(guó)的生態(tài)也表現(xiàn)亮眼，包括浪潮信息、工業(yè)富聯(lián)、聯(lián)泰集群、聯(lián)想、日海飛信、瑞芯微電子等眾多芯片設(shè)計(jì)與 OEM 及 ODM 廠商均已加入 SystemReady 計(jì)劃，認(rèn)證范圍涵蓋服務(wù)器、 5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)邊緣計(jì)算等應(yīng)用產(chǎn)品。
2022-06-21
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過(guò)去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長(zhǎng)期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
- 伺服驅(qū)動(dòng)器賦能工業(yè)自動(dòng)化：多場(chǎng)景應(yīng)用方案深度解析
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