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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過(guò)利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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貿(mào)澤電子帶你探索汽車設(shè)計(jì)發(fā)展新趨勢(shì)
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 致力于為采購(gòu)人士和工程師提供各類資源和新產(chǎn)品，助其走在汽車解決方案的創(chuàng)新前沿。貿(mào)澤攜手知名制造商合作伙伴通過(guò)博客、文章、視頻等，帶你深入了解現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和解決方案，洞察汽車行業(yè)的未來(lái)。
2022-12-02
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車輛電壓保護(hù)——將電壓水平保持在限度內(nèi)
車輛中可能會(huì)短暫存在高電壓，而僅比規(guī)定電壓高出幾伏就足以損壞高度敏感的IC器件。因而針對(duì)靜電放電 (ESD)、拋負(fù)載(load dump)脈沖和瞬變提供充分保護(hù)是至關(guān)重要的。
2022-12-02
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5G毫米波有源陣列封裝天線技術(shù)研究
提出了一種5G 毫米波有源陣列封裝天線。該陣列由8×16 個(gè)微帶天線單元組成，通過(guò)耦合式差分饋電，天線實(shí)現(xiàn)了寬帶匹配和方向圖高度對(duì)稱特性。通過(guò)對(duì)天線與芯片進(jìn)行合理布局，減小了芯片射頻端口到天線子陣的饋電線損，提高了有源陣列天線的整體效率。測(cè)試結(jié)果表明，該陣列天線在工作頻段為24．25～ 27．5 GHz 的等效全向輻射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大于60 dBm，并且陣列波束掃描至±30°、±60°時(shí)的增益下降分別不超過(guò)0．6 dB、4．1 dB，具有良好的寬角度波束掃描特性。
2022-12-02
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
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談?wù)劅衢T(mén)的氧化鎵
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái)，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過(guò)去十年中，研究活動(dòng)增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85 eV的大帶隙和晶體生長(zhǎng)方面的突破，導(dǎo)致了2012年第一個(gè)Ga2O3晶體管的演示。Ga2O3有希望成為電力電子平臺(tái)，但在未來(lái)十年將這種UWBG半導(dǎo)體投入商用存在挑戰(zhàn)。
2022-11-28
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多電源IC的上電時(shí)序控制你搞明白了么？
人們常常想當(dāng)然地為PCB的電路上電，殊不知這可能造成破壞以及有損或無(wú)損閂鎖狀況。這些問(wèn)題可能并不突出，直到量產(chǎn)開(kāi)始，器件和設(shè)計(jì)的容差接受檢驗(yàn)時(shí)才被發(fā)現(xiàn)，但為時(shí)已晚，項(xiàng)目和產(chǎn)品的時(shí)間及交貨將會(huì)受到極大影響，成本大幅攀升。為了解決這一階段中發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤，將需要進(jìn)行大量修改，包括PCB布局變更、設(shè)計(jì)更改和額外的異?，F(xiàn)象等。
2022-11-28
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高壓電動(dòng)汽車的低壓電池監(jiān)控
如果您還沒(méi)有駕駛電動(dòng)汽車 （EV）——混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 （HEV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV） 或全電動(dòng)汽車——那么很有可能，您可能很快就會(huì)駕駛。里程焦慮已成為過(guò)去。您現(xiàn)在可以幫助保護(hù)環(huán)境，而不必?fù)?dān)心被困在其中。世界各國(guó)政府提供慷慨的財(cái)政激勵(lì)措施來(lái)抵消電動(dòng)汽車的溢價(jià)，希望引導(dǎo)您遠(yuǎn)離購(gòu)買內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車。一些政府已經(jīng)采取措施，要求汽車制造商制造和銷售電動(dòng)汽車，希望市場(chǎng)最終將由它們主導(dǎo)，而另一些政府則在沙子上劃了一條更明確的界限;例如，德國(guó)已經(jīng)在推動(dòng)到2030年禁止內(nèi)燃機(jī)汽車。
2022-11-28
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SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”
當(dāng)前，全球主要國(guó)家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過(guò)程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異，但總體實(shí)現(xiàn)時(shí)間將較為接近。在中國(guó)，這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)是2030年之前。
2022-11-25
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貿(mào)澤新一期EIT計(jì)劃帶您走近自主移動(dòng)機(jī)器人
2022年11月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其Empowering Innovation Together?（共求創(chuàng)新）計(jì)劃在2022年的最后一期。本期將介紹自主移動(dòng)機(jī)器人 (AMR) 的最新發(fā)展，以及其為眾多行業(yè)帶來(lái)的全新改善和前沿應(yīng)用。
2022-11-23
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近距輕掃和運(yùn)動(dòng)感知視頻展示雷達(dá)IC應(yīng)用
我愛(ài)方案網(wǎng)聯(lián)手芯片原廠富奧星電子建設(shè)方案商生態(tài)，推出基于多普勒效應(yīng)的雷達(dá)感知芯片模組，可實(shí)現(xiàn)非接觸式手勢(shì)開(kāi)關(guān)、人體近距喚醒、運(yùn)動(dòng)感知和人體存在感知等功能。我們收集到方案商應(yīng)用場(chǎng)景視頻，分享給大家，給予設(shè)計(jì)靈感啟發(fā)。
2022-11-23
- OLED顯示器季度榜：華碩登頂，微星躍升，三星承壓
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