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數(shù)字電容器 IC 如何簡化天線調(diào)諧？
天線調(diào)諧要求的源阻抗和負(fù)載阻抗共軛匹配，從無線技術(shù)誕生開始一直延續(xù)至今，而今已經(jīng)演變成一種新的、更具挑戰(zhàn)性的形式。
2022-12-14
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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”多項(xiàng)殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”評選中榮獲多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”，高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681獲“綠色節(jié)能獎(jiǎng)”。“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”由21IC中國電子網(wǎng)主辦，備受行業(yè)認(rèn)可，獲得該殊榮的產(chǎn)品代表其在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術(shù)創(chuàng)新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-13
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。
2022-12-12
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實(shí)現(xiàn)測試測量突破性創(chuàng)新，采用ASIC還是FPGA？
作為世界創(chuàng)新的幕后英雄，特別是在電子器件和通信技術(shù)方面，工程師們要開發(fā)測試設(shè)備，驗(yàn)證這些新技術(shù)，以把新技術(shù)推向市場。這些工程師必須運(yùn)行尖端技術(shù)，處理預(yù)測行業(yè)和創(chuàng)新未來的挑戰(zhàn)。在開創(chuàng)未來的過程中，測試測量工程師面臨的基礎(chǔ)性創(chuàng)新挑戰(zhàn)之一，是確定設(shè)計(jì)中采用專用集成電路(ASIC)還是現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。
2022-12-09
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高可靠性電容式MEMS麥克風(fēng)在車載中的應(yīng)用
采用MEMS技術(shù)制造的電容式硅麥克風(fēng)在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐受性、成本及量產(chǎn)能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優(yōu)勢，一經(jīng)推出變迅速占領(lǐng)手機(jī)、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品市場。
2022-12-09
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聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
碳化硅（SiC）技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。為了實(shí)現(xiàn)SiC技術(shù)的愿景，開發(fā)人員必須從產(chǎn)品質(zhì)量、供貨情況和服務(wù)支持等各個(gè)方面仔細(xì)評估多家產(chǎn)品和供應(yīng)商，并了解如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成。
2022-12-09
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汽車IC分類一張圖，國際大廠與中國步伐有差異
汽車IC就是車規(guī)級(jí)產(chǎn)品，滿足汽車質(zhì)量管理體系，符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）在2020年發(fā)布了《純電動(dòng)乘用車車規(guī)級(jí)芯片一般要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，將汽車半導(dǎo)體分為10個(gè)大類和60個(gè)小類，10個(gè)大類分別包括控制芯片、存儲(chǔ)芯片、計(jì)算芯片、信息安全芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
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恒流負(fù)載導(dǎo)致的啟動(dòng)故障
內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動(dòng)前輸出端被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)無法啟動(dòng)的問題。
2022-12-08
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提高電源轉(zhuǎn)換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構(gòu)顯示出多項(xiàng)優(yōu)勢）
近年來隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）總線接口被應(yīng)用到越來越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號(hào)線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-08
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復(fù)雜電源系統(tǒng)中的明星：數(shù)字化多路電源模塊將即將嶄露頭角
近幾年來，板級(jí)電源模塊產(chǎn)品呈現(xiàn)爆炸式發(fā)展態(tài)勢，其集成度高、體積緊湊的優(yōu)點(diǎn)，吸引了越來越多的終端客戶選擇。而越來越多的應(yīng)用類型、越來越復(fù)雜的使用場景，也對電源模塊產(chǎn)品提出了更高的挑戰(zhàn)。如何達(dá)到性能最優(yōu)？如何提升用戶設(shè)計(jì)體驗(yàn)？如何增強(qiáng)可靠性？各種尖銳的問題，促使IC電源廠商不斷追求著控制策略優(yōu)化、工藝優(yōu)化、設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)優(yōu)化。MPS在電源模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面有著自己獨(dú)到的理解和技術(shù)沉淀，并藉此推動(dòng)電源模塊產(chǎn)品的交付量迅猛增長。
2022-12-07
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適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺(tái)化設(shè)計(jì)和易擴(kuò)展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級(jí)和電流等級(jí)，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺(tái)化設(shè)計(jì)，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導(dǎo)體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級(jí)和對稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應(yīng)用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設(shè)計(jì)原理、開關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長模塊的使用壽命等關(guān)鍵點(diǎn)。
2022-12-05
- OLED顯示器季度榜：華碩登頂，微星躍升，三星承壓
- 2nm量產(chǎn)+先進(jìn)封裝，臺(tái)積電構(gòu)筑AI算力時(shí)代的“絕對護(hù)城河”
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