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貿(mào)澤電子新品推薦：2022年第三季度推出超過11350個(gè)新物料
2022年11月8日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自1200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2022-11-08
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科普：MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。
2022-11-04
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貿(mào)澤與ST合作推出新電子書，探討響應(yīng)式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》（邊緣智能），探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 的新發(fā)展。書中來自貿(mào)澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發(fā)的挑戰(zhàn)和應(yīng)用，其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和響應(yīng)式AI等主題。
2022-11-03
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ADI攜手友達(dá)光電，面向汽車市場(chǎng)推出安全節(jié)能的寬屏顯示器
中國(guó)，北京–2022年11月3日，Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布友達(dá)光電(TPE:2409)將在其領(lǐng)先的汽車寬屏顯示器產(chǎn)品系列中使用ADI的矩陣LED顯示屏驅(qū)動(dòng)器技術(shù)。此項(xiàng)業(yè)內(nèi)優(yōu)異的技術(shù)支持局部調(diào)光，可將功耗顯著降低至少50％，滿足功能安全要求。
2022-11-03
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬物電氣化”
碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。
2022-11-02
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ADI將亮相2022年慕尼黑電子展，持續(xù)引領(lǐng)可持續(xù)未來
Analog Devices, Inc.將攜多領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)和解決方案亮相于11月15日至18日在德國(guó)舉辦的2022慕尼黑電子展，期間將在C4展廳125號(hào)展臺(tái)全方位展示面向工業(yè)自動(dòng)化和儀器儀表、汽車、醫(yī)療健康、消費(fèi)電子及通信等應(yīng)用的創(chuàng)新成果。
2022-11-01
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MVG攜手思博倫推動(dòng)OTA測(cè)試
天線測(cè)量解決方案領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)icrowave Vision Group（MVG）近日宣布，思博倫通信（思博倫）的GSS7000 GNSS模擬器已成功集成到MVG的OTA測(cè)試及無源天線測(cè)試系統(tǒng)中。MVG能夠?qū)μ炀€進(jìn)行表征和評(píng)估，以測(cè)試無線連接性、可靠性和標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性。
2022-11-01
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2022年“創(chuàng)造未來”設(shè)計(jì)大賽圓滿成功
2022年11月1日 – 全球電子元器件授權(quán)分銷商和“創(chuàng)造未來”設(shè)計(jì)大賽贊助商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 向2022年大賽獲勝團(tuán)隊(duì)表示祝賀，特別頒獎(jiǎng)晚宴將于11月份舉行。這是SAE International 公司旗下的SAE Media Group主辦的第20屆年度大賽，由貿(mào)澤與其重要供應(yīng)商Intel?和Analog Devices, Inc共同贊助。
2022-11-01
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熱管理：突破功率密度障礙的 3 種方法
實(shí)現(xiàn)更高功率密度的障礙是什么？實(shí)際上，熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性，既無法忽略也不能使用系統(tǒng)級(jí)過濾元件“優(yōu)化”。要緩解系統(tǒng)過熱問題，需要在開發(fā)過程的每個(gè)步驟中進(jìn)行關(guān)鍵的微調(diào)，以便設(shè)計(jì)能夠滿足給定尺寸約束下的系統(tǒng)要求。以下是 TI 專注于優(yōu)化熱性能和突破芯片級(jí)功率密度障礙的三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)，測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件，會(huì)給使用者帶來更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案
智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開始探索更快的電量補(bǔ)給，以高效充電來壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設(shè)備的便攜性，提升用戶體驗(yàn)。
2022-10-28
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 貿(mào)澤電子自動(dòng)化資源中心上線：工程師必備技術(shù)寶庫(kù)
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