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消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機驅(qū)動器 IC
典型的有刷直流電機是一種非常方便但噪音很大的設備。電刷實現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)，也稱為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機轉(zhuǎn)動。但與這些電刷相關(guān)的突然連接和斷開會導致瞬態(tài)干擾，從而影響連接到電機的電路（通過標準傳導路徑）以及附近的組件（通過 EMI）。
2024-12-29
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
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2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化
縱觀2024年，存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計算、云端應用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級UFS 4.0推動行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應用需求，并已經(jīng)為未來存儲鋪墊全新的技術(shù)可行性。
2024-12-27
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NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實例上加速下一代數(shù)據(jù)分析
數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技（AWS）最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實例實現(xiàn)集成，該實例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù)，為云原生數(shù)據(jù)分析工作負載帶來了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場經(jīng)理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國臺灣銷售與市場經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡稱為東盟）市場經(jīng)理！這一重要晉升不僅是對 Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。
2024-12-26
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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貿(mào)澤電子持續(xù)擴充工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容
專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)擴充其來自業(yè)界知名制造商和解決方案供應商的工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容，幫助客戶奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎。
2024-12-25
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第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
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芝識課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項】—深入電子設計，需要這份指南（一）
當今的電子設計領(lǐng)域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應用。然而，要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。從本期芝識課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細的設計指南，幫助大家更好地避免潛在的設計陷阱和故障。
2024-12-13
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第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
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如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設計對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護二極管就足夠了。
2024-12-12
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意法半導體和ENGIE在馬來西亞簽訂可再生能源發(fā)電供電長期協(xié)議
服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽能發(fā)電公司簽訂為期21年的購電協(xié)議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來西亞迅速崛起的太陽能開發(fā)商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
- 自主生態(tài)護城河：數(shù)字化轉(zhuǎn)型的可持續(xù)競爭力構(gòu)建
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