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適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設(shè)計和易擴展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設(shè)計，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導(dǎo)體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應(yīng)用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設(shè)計原理、開關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長模塊的使用壽命等關(guān)鍵點。
2022-12-05
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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貿(mào)澤電子帶你探索汽車設(shè)計發(fā)展新趨勢
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 致力于為采購人士和工程師提供各類資源和新產(chǎn)品，助其走在汽車解決方案的創(chuàng)新前沿。貿(mào)澤攜手知名制造商合作伙伴通過博客、文章、視頻等，帶你深入了解現(xiàn)代汽車設(shè)計挑戰(zhàn)和解決方案，洞察汽車行業(yè)的未來。
2022-12-02
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車輛電壓保護(hù)——將電壓水平保持在限度內(nèi)
車輛中可能會短暫存在高電壓，而僅比規(guī)定電壓高出幾伏就足以損壞高度敏感的IC器件。因而針對靜電放電 (ESD)、拋負(fù)載(load dump)脈沖和瞬變提供充分保護(hù)是至關(guān)重要的。
2022-12-02
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5G毫米波有源陣列封裝天線技術(shù)研究
提出了一種5G 毫米波有源陣列封裝天線。該陣列由8×16 個微帶天線單元組成，通過耦合式差分饋電，天線實現(xiàn)了寬帶匹配和方向圖高度對稱特性。通過對天線與芯片進(jìn)行合理布局，減小了芯片射頻端口到天線子陣的饋電線損，提高了有源陣列天線的整體效率。測試結(jié)果表明，該陣列天線在工作頻段為24．25～ 27．5 GHz 的等效全向輻射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大于60 dBm，并且陣列波束掃描至±30°、±60°時的增益下降分別不超過0．6 dB、4．1 dB，具有良好的寬角度波束掃描特性。
2022-12-02
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
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談?wù)劅衢T的氧化鎵
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85 eV的大帶隙和晶體生長方面的突破，導(dǎo)致了2012年第一個Ga2O3晶體管的演示。Ga2O3有希望成為電力電子平臺，但在未來十年將這種UWBG半導(dǎo)體投入商用存在挑戰(zhàn)。
2022-11-28
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多電源IC的上電時序控制你搞明白了么？
人們常常想當(dāng)然地為PCB的電路上電，殊不知這可能造成破壞以及有損或無損閂鎖狀況。這些問題可能并不突出，直到量產(chǎn)開始，器件和設(shè)計的容差接受檢驗時才被發(fā)現(xiàn)，但為時已晚，項目和產(chǎn)品的時間及交貨將會受到極大影響，成本大幅攀升。為了解決這一階段中發(fā)現(xiàn)的錯誤，將需要進(jìn)行大量修改，包括PCB布局變更、設(shè)計更改和額外的異?，F(xiàn)象等。
2022-11-28
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高壓電動汽車的低壓電池監(jiān)控
如果您還沒有駕駛電動汽車 （EV）——混合動力電動汽車 （HEV）、插電式混合動力汽車（PHEV） 或全電動汽車——那么很有可能，您可能很快就會駕駛。里程焦慮已成為過去。您現(xiàn)在可以幫助保護(hù)環(huán)境，而不必?fù)?dān)心被困在其中。世界各國政府提供慷慨的財政激勵措施來抵消電動汽車的溢價，希望引導(dǎo)您遠(yuǎn)離購買內(nèi)燃機（ICE）汽車。一些政府已經(jīng)采取措施，要求汽車制造商制造和銷售電動汽車，希望市場最終將由它們主導(dǎo)，而另一些政府則在沙子上劃了一條更明確的界限;例如，德國已經(jīng)在推動到2030年禁止內(nèi)燃機汽車。
2022-11-28
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SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”
當(dāng)前，全球主要國家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時間表。在具體實現(xiàn)的過程中，軌道交通將是一個重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)哟罅炕A(chǔ)設(shè)施建設(shè)，因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異，但總體實現(xiàn)時間將較為接近。在中國，這個時間節(jié)點是2030年之前。
2022-11-25
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貿(mào)澤新一期EIT計劃帶您走近自主移動機器人
2022年11月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其Empowering Innovation Together?（共求創(chuàng)新）計劃在2022年的最后一期。本期將介紹自主移動機器人 (AMR) 的最新發(fā)展，以及其為眾多行業(yè)帶來的全新改善和前沿應(yīng)用。
2022-11-23
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