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宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估
汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來(lái)提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對(duì)于車載產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可靠性也是一個(gè)重要的話題。
2022-12-20
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簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。
2022-12-19
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碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問(wèn)題探討
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-16
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通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò)，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-16
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分析自動(dòng)化第三季度市場(chǎng)數(shù)據(jù)，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業(yè)訂單增長(zhǎng)最好，印刷、制藥、暖通空調(diào)、食品機(jī)械和電梯持平，其它行業(yè)都有降低。相關(guān)應(yīng)用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設(shè)備制造商影響有變化，PLC和工控機(jī)用HMI方案和網(wǎng)關(guān)也有市場(chǎng)需求起伏。其中伺服、CNC增長(zhǎng)率為負(fù)，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長(zhǎng)，其中PLC整體表現(xiàn)相對(duì)亮眼，達(dá)到兩位數(shù)以上的增長(zhǎng)率。
2022-12-16
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使用 SiC JFET 接近完美開關(guān)
碳化硅 (SiC) JFET堅(jiān)固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們?cè)诿繂挝恍酒娣e的 FOM 導(dǎo)通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了價(jià)值接近材料的理論極限（圖 1）。這個(gè)品質(zhì)因數(shù)直接關(guān)系到開關(guān)的實(shí)際性能及其經(jīng)濟(jì)性，與競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)相比，每個(gè)晶圓的芯片數(shù)量更多，性能相當(dāng)。
2022-12-16
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Vicor攜手貿(mào)澤推出以48V設(shè)計(jì)為主題的全新資源網(wǎng)站
2022年12月14日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Vicor聯(lián)手推出一個(gè)全新的資源網(wǎng)站，提供各種面向48V產(chǎn)品和電源設(shè)計(jì)的資源。該網(wǎng)站包含一系列深入詳細(xì)的文章、視頻和信息圖，為設(shè)計(jì)人員和制造商提供了全面的資源，助其開發(fā)采用48V較高壓配電系統(tǒng)的新型電源。
2022-12-14
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數(shù)字電容器 IC 如何簡(jiǎn)化天線調(diào)諧？
天線調(diào)諧要求的源阻抗和負(fù)載阻抗共軛匹配，從無(wú)線技術(shù)誕生開始一直延續(xù)至今，而今已經(jīng)演變成一種新的、更具挑戰(zhàn)性的形式。
2022-12-14
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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國(guó)“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”多項(xiàng)殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”評(píng)選中榮獲多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”，高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681獲“綠色節(jié)能獎(jiǎng)”?！癟op 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”由21IC中國(guó)電子網(wǎng)主辦，備受行業(yè)認(rèn)可，獲得該殊榮的產(chǎn)品代表其在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術(shù)創(chuàng)新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-13
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。
2022-12-12
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實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)量突破性創(chuàng)新，采用ASIC還是FPGA？
作為世界創(chuàng)新的幕后英雄，特別是在電子器件和通信技術(shù)方面，工程師們要開發(fā)測(cè)試設(shè)備，驗(yàn)證這些新技術(shù)，以把新技術(shù)推向市場(chǎng)。這些工程師必須運(yùn)行尖端技術(shù)，處理預(yù)測(cè)行業(yè)和創(chuàng)新未來(lái)的挑戰(zhàn)。在開創(chuàng)未來(lái)的過(guò)程中，測(cè)試測(cè)量工程師面臨的基礎(chǔ)性創(chuàng)新挑戰(zhàn)之一，是確定設(shè)計(jì)中采用專用集成電路(ASIC)還是現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)。
2022-12-09
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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