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IU5302 恒壓充電電壓可設(shè)定的2A單節(jié)磷酸鐵鋰電池/鋰電池充電管理IC方案
鋰電池、磷酸鐵鋰電池等生活中隨時(shí)可見。通用的磷酸鐵鋰電池標(biāo)稱電壓是3.2V、滿電電壓是3.6V。鋰電池標(biāo)稱電壓是3.7V、滿電電壓是4.2V。但是也有些類型的鋰電池規(guī)格滿電電壓有4.2V、4.35V、4.4V，甚至有4.45V的。一般來說4.35V或是以上的屬于高壓電芯，能量密度比較高。
2023-02-15
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貿(mào)澤電子推出內(nèi)容豐富的全新醫(yī)療技術(shù)資源網(wǎng)站
知名新品引入(NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出了一個(gè)專門針對醫(yī)療行業(yè)的前沿資源網(wǎng)站，包含大量先進(jìn)的產(chǎn)品、文章、設(shè)計(jì)指南等。在全球制造商合作伙伴的支持下，貿(mào)澤廣泛的資源組合能夠幫助電子設(shè)計(jì)工程師和采購人員快速高效地找到所需的工具、信息和材料。
2023-02-14
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兩個(gè)低壓差線性穩(wěn)壓器創(chuàng)建極其緊湊的三路輸出解決方案
用于汽車應(yīng)用的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器必須在極端環(huán)境中運(yùn)行。輸入瞬變可能超過標(biāo)稱電池電壓五倍，持續(xù)數(shù)百毫秒，而引擎蓋下的溫度飆升至遠(yuǎn)高于典型商用級IC的能力。在這種惡劣的環(huán)境中，空間狹小，因此即使是最堅(jiān)固的設(shè)備也必須執(zhí)行多種功能。
2023-02-14
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貿(mào)澤電子聯(lián)手Qorvo推出全新電子書探索汽車設(shè)計(jì)的未來
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Qorvo聯(lián)手推出全新電子書《The Future of Automotive》（汽車的未來），探索正在重塑汽車設(shè)計(jì)的技術(shù)創(chuàng)新。書中，來自貿(mào)澤和Qorvo的主題專家對車聯(lián)網(wǎng) (V2X) 架構(gòu)、超寬帶 (UWB) 通信和電動(dòng)汽車車載充電器 (OBC) 等技術(shù)進(jìn)行了豐富而實(shí)用的分析。
2023-02-13
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負(fù)降壓轉(zhuǎn)換器無需電感器
該電路使用兩個(gè)電荷泵器件來降壓負(fù)電壓。第一個(gè)通過加倍和反相負(fù)輸入電壓產(chǎn)生正輸出，第二個(gè)充當(dāng)逆變器以產(chǎn)生所需的負(fù)輸出。電路的輸入和輸出能力取決于所選IC元件允許的輸入/輸出電壓。
2023-02-13
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貿(mào)澤與Yazaki Corporation簽訂全球分銷協(xié)議 向用戶提供高品質(zhì)車用元器件
專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Yazaki Corporation簽訂了全球分銷協(xié)議。Yazaki Corporation是全球知名制造商，主要致力于連接器、線束、儀表以及其他高品質(zhì)車用產(chǎn)品。
2023-02-09
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。
2023-02-09
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集成無源元件的電源管理集成電路
自TechInsights于2021年底推出電源管理集成電路（PMIC）工藝分析頻道以來，已分析了多種器件。內(nèi)容囊括高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和汽車級電源轉(zhuǎn)換IC，乃至移動(dòng)電源管理集成電路。據(jù)觀察，越來越多的制造商嘗試以共同封裝配置或與硅IC本身“全集成”的方式將無源元件集成至電源管理集成電路產(chǎn)品。
2023-02-08
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貿(mào)澤電子新品推薦：2022年第四季度推出超過12000個(gè)新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，首要任務(wù)是提供來自1200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-02-06
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導(dǎo)致漏極源極之間會(huì)有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。
2023-02-06
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滿足嚴(yán)格效率和性能規(guī)格且尺寸要小的電源，需要搭配什么樣的控制器？
高性能通信、服務(wù)器和計(jì)算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時(shí)候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格，且通常具備相對較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈活解決方案。
2023-02-06
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貿(mào)澤與Littelfuse聯(lián)手推出全新內(nèi)容專題 為工業(yè)安全提供關(guān)鍵資源
2023年2月3日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Littelfuse合作推出新的內(nèi)容專題, 提供一系列關(guān)于弧閃和觸電保護(hù)的信息資源。這個(gè)全新內(nèi)容專題包括一系列文章、白皮書、傳單、案例研究、視頻和網(wǎng)絡(luò)廣播，為設(shè)計(jì)人員和制造商提供防止受傷和觸電所需的知識(shí)。
2023-02-03
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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