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25kW電動汽車SiC直流快充設計指南：經(jīng)驗總結(jié)
在我們的系列參考設計文檔中，我們詳細描述了25 kW直流快充模塊的開發(fā)過程。本白皮書則主要探討25 kW直流快充模塊的開發(fā)和測試中硬件和固件設計以及調(diào)試階段的技巧與訣竅。我們將介紹如何測試和微調(diào)去飽和保護功能，分析SiC MOSFET漏極電壓振鈴的原因，以及添加緩沖電容的好處。此外還考慮如何在環(huán)回測試中使用比待測器件(DUT)功率更低的設備來測試DUT。最后，我們將討論相移雙有源橋控制算法設計。
2023-01-11
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使用即插即用的D類放大器輕松實現(xiàn)可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)音頻
耗電顯示器不是與電池供電的便攜式、可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設備接口的最有效媒介。因此，低功耗音頻正迅速成為一種更受歡迎的替代品。在本設計解決方案中，我們回顧了D類數(shù)字音頻放大器，并討論了一些當前解決方案的限制，然后介紹了一種巧妙封裝的IC，該IC需要最少的配置即可快速為這些應用帶來高質(zhì)量的音頻。
2023-01-11
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滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓撲結(jié)構(gòu)。該拓撲結(jié)構(gòu)支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術優(yōu)化組合，實現(xiàn)成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結(jié)構(gòu)的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現(xiàn)輸出功率達到200kW以上。此外，相應的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲能系統(tǒng)等新興應用。
2023-01-10
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車工業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨厚的優(yōu)勢，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非?？春?00V母線系統(tǒng)的發(fā)展，有一些研究機構(gòu)，預測截至到2026年，SiC在整個功率器件市場的占比將達到12%以上。
2023-01-10
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艾邁斯歐司朗與Quadric達成合作，攜智能圖像傳感器亮相CES展會
全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗與端側(cè)AI機器學習處理器IP創(chuàng)新者Quadric宣布達成戰(zhàn)略合作，雙方將聯(lián)合開發(fā)集成傳感模塊，結(jié)合艾邁斯歐司朗前沿的Mira系列可見光和紅外光CMOS傳感器與Quadric新型Chimera? GPNPU處理器。這些模塊實現(xiàn)超低功耗，雙方的融合將為可穿戴設備、機器人、工業(yè)及安防市場提供創(chuàng)新的智能傳感方案。合作產(chǎn)品已在2023年1月5日至8日拉斯維加斯CES展會首次亮相，并進行現(xiàn)場演示。
2023-01-09
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安森美和Ampt攜手合作，助力光伏電站供應商提高能效
2023年1月6日 — 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，和世界頭號大型光伏（PV）太陽能和儲能系統(tǒng)直流優(yōu)化器公司Ampt LLC宣布攜手合作，以滿足市場對直流組串優(yōu)化器的高需求。Ampt在其直流組串優(yōu)化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術之N溝道SiC MOSFET，用于關鍵的功率開關應用。
2023-01-07
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數(shù)字控制回路的模擬組件（模擬控制器轉(zhuǎn)向易于編程的數(shù)字控制環(huán)路）
移動、汽車和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 電氣和電子系統(tǒng)的加速部署，加上上市時間窗口的縮短，導致需要對支持它們的 IC 進行更快速、更低成本的測試。
2023-01-06
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集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認知
近年來，集成電路行業(yè)處在風口浪尖，備受關注。在剛剛結(jié)束的2022 ICS集成電路峰會上，魏少軍教授、李珂先生等行業(yè)專家給出了他們的觀點，用事實和數(shù)據(jù)說明，在成熟的集成電路工藝和EDA工具上實現(xiàn)芯片產(chǎn)品創(chuàng)新，并不需要最先進的工藝，追求能量效率這個指標，就能實現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新特色。說到美國單向脫鉤，表示我們不想脫鉤，就會出現(xiàn)半脫鉤，美國要確保領先中國二代半導體技術。2023年他們會加大對中國遏制，不會減緩，只會加強。本期文章根據(jù)各位專家的觀點，從成熟技術創(chuàng)新，供應鏈安全，補人才短板，半脫鉤下策略發(fā)展四個方面來看集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認知。
2023-01-06
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芯片國產(chǎn)替代：替代策略與實施要則干貨
在缺“芯”困局之下，國產(chǎn)替代的呼聲愈發(fā)高漲。但就目前的產(chǎn)業(yè)環(huán)境而言，國產(chǎn)芯片替代實際上機遇與挑戰(zhàn)并存。半導體行業(yè)由于其自身“高精尖”特質(zhì)所致，是典型的資產(chǎn)密集、技術密集、人才密集型產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的周期較長，需數(shù)十年。同時，芯片國產(chǎn)化的機遇也是空前的。國家利好政策不斷發(fā)布：投資補助、稅收優(yōu)惠等為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護航，加之眾多資本持續(xù)加大對芯片產(chǎn)業(yè)的投資力度，也有助于國產(chǎn)廠商的發(fā)展及技術突破。本文內(nèi)容根據(jù)2022 ICS集成電路峰會論壇上，深圳市大盛唐科技有限公司總經(jīng)理韓軍龍帶來的國產(chǎn)替代實戰(zhàn)分享，來了解關于芯片國產(chǎn)替代的策略及實施要則。
2023-01-06
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瑞薩電子推出首款支持新Matter協(xié)議的Wi-Fi開發(fā)套件
2023 年 1 月 5 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協(xié)議的開發(fā)套件，同時宣布將在未來所有Wi-Fi、低功耗藍牙?（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購的Dialog Semiconductor和Celeno Communications產(chǎn)品上，提供對Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驅(qū)逆變器碳化硅功率模塊被現(xiàn)代汽車選中用于高性能電動汽車
2023年1月5日 —領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模塊已被起亞（Kia Corporation）選中用于EV6 GT車型。這款電動汽車（EV）從零速加速到60英里/小時只需3.4秒，最高時速達161英里/小時。在該高性能電動汽車的主驅(qū)逆變器中，EliteSiC功率模塊實現(xiàn)了從電池的直流800V到后軸交流驅(qū)動的高效電源轉(zhuǎn)換。安森美會繼續(xù)與現(xiàn)代起亞汽車集團（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，簡稱HMC/KIA）合作，將EliteSiC技術用于其即將推出的基于電動化全球模塊型平臺（E-GMP）的高性能電動汽車。
2023-01-05
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設計要點
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動對供電的特殊要求，對不同供電設計方案的優(yōu)劣勢進行了分析。
2023-01-05
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