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同舟共濟(jì)：美光捐贈(zèng)100萬(wàn)元人民幣馳援中國(guó)洪澇災(zāi)區(qū)
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布旗下美光基金會(huì) （Micron Foundation）向贈(zèng)與亞洲中國(guó)洪水救援基金（G2A China Flood Relief Fund）捐贈(zèng)100萬(wàn)元人民幣，以援助受臺(tái)風(fēng) “杜蘇芮” 和 “卡努” 影響的北京、河北及黑龍江地區(qū)受災(zāi)群眾。
2023-08-24
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MVG在2023全國(guó)天線會(huì)議中展示SG Evo系統(tǒng)，在拱形環(huán)中采用無(wú)限采樣專利技術(shù)
天線測(cè)量解決方案領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)icrowave Vision Group（MVG）今日宣布參加2023年8月20日至23日在哈爾濱舉辦的全國(guó)天線會(huì)議，并參與會(huì)議同期進(jìn)行的產(chǎn)品展覽，展出其采用了MVG無(wú)限采樣專利技術(shù)的多探頭測(cè)試系統(tǒng)——SG Evo。
2023-08-23
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有效測(cè)量碳化硅信號(hào)
碳化硅（SiC）技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應(yīng)用，因?yàn)樗哂写蠊β氏到y(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統(tǒng)升級(jí)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新選擇。
2023-08-22
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IGBTs給高功率帶來(lái)了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車(chē)充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及，市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求，并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導(dǎo)體）正在推出多個(gè) IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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集成穩(wěn)壓器消除了對(duì)分立元件的需求
集成電壓調(diào)節(jié)器 (IVR) 是電源管理芯片中的一個(gè)新類別，它聲稱已經(jīng)緩解了功率密度和能源效率之間長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的平衡問(wèn)題。Empower Semiconductor由三位模擬資深人士于 2014 年共同創(chuàng)立，該公司創(chuàng)建了 5 × 5 毫米的封裝，可以消除或集成分立元件。
2023-08-21
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設(shè)備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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芯原股份周志剛：用高性能的功能安全SoC平臺(tái)，助力ADAS方案落地
7月14日，在ICDIA 2023大會(huì)期間同期舉辦的“智能與自動(dòng)駕駛”專題論壇上，芯原股份系統(tǒng)芯片平臺(tái)部副總裁周志剛發(fā)表主題演講，介紹了芯原的高性能芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)與自動(dòng)駕駛解決方案。
2023-08-21
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貿(mào)澤電子提供品類豐富的Vishay汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品
2023年8月18日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)多款Vishay針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。Vishay制定了自己的汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標(biāo)準(zhǔn)納入了汽車(chē)行業(yè)的關(guān)鍵質(zhì)量管理措施和健全的設(shè)計(jì)政策，在開(kāi)發(fā)新品和改良現(xiàn)有產(chǎn)品時(shí)采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。
2023-08-19
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貿(mào)澤電子推出新一期EIT內(nèi)容 分享數(shù)字療法變革性的強(qiáng)大力量
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計(jì)劃推出最新一期內(nèi)容，共同探討了數(shù)字療法帶來(lái)的變革性潛力。在本期EIT中，貿(mào)澤深入探究了關(guān)鍵技術(shù)與醫(yī)學(xué)之間的緊密關(guān)聯(lián)，幫助你了解各種元器件如何協(xié)同工作，以及它如何打破傳統(tǒng)醫(yī)療體系的限制和壁壘，以期提供更為個(gè)性化且更容易獲得的醫(yī)療保健服務(wù)。
2023-08-17
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泰瑞達(dá)張震宇：解讀異構(gòu)集成和Chiplet時(shí)代下，測(cè)試行業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
2023年7月3日，中國(guó) 北京訊 —— 全球先進(jìn)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)（NASDAQ:TER）宣布，受邀出席了SEMICON China 2023同期舉辦的“先進(jìn)封裝論壇 - 異構(gòu)集成”活動(dòng)。在活動(dòng)中，泰瑞達(dá)Complex SOC事業(yè)部亞太區(qū)總經(jīng)理張震宇發(fā)表題為《異構(gòu)集成和Chiplet時(shí)代下，芯片測(cè)試行業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》的精彩演講，生動(dòng)介紹泰瑞達(dá)對(duì)于先進(jìn)封裝，在質(zhì)量和成本之間找到平衡和最優(yōu)方案的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
2023-08-17
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使用新型160V MOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC實(shí)現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計(jì)（第一部分）
MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX?品牌的新成員，該品牌通過(guò)可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合提供低壓電機(jī)控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動(dòng)器IC，采用5x5 mm2 QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤(pán)，并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件非常適合電池供電的工業(yè)無(wú)刷直流電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器，如無(wú)繩電動(dòng)工具、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)和輕型電動(dòng)車(chē)（LEV），電池電壓范圍為10.8V至120V。這種寬工作電壓范圍使其成為12V、24V、48V、72V和96V等多種電池類型的理想"一站式"柵極驅(qū)動(dòng)器選擇。
2023-08-16
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)？這款IC方案推薦給您
在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問(wèn)題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-15
- OLED顯示器季度榜：華碩登頂，微星躍升，三星承壓
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