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實(shí)施混合式數(shù)據(jù)分析平臺(tái)的三個(gè)步驟
過去八年間，數(shù)據(jù)中臺(tái)及其“統(tǒng)一數(shù)據(jù)、統(tǒng)一服務(wù)、統(tǒng)一身份（One data, one service, one ID）”理念的廣泛采用，推動(dòng)了中心化數(shù)據(jù)平臺(tái)和職責(zé)的普及。2023年Gartner中國(guó)CIO調(diào)研顯示，80%的中國(guó)受訪者依賴中心化IT部門來(lái)提供IT架構(gòu)能力、數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)安全標(biāo)準(zhǔn)和政策。
2023-09-21
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硅基氮化鎵在射頻市場(chǎng)的應(yīng)用日益廣泛
氮化鎵技術(shù)將繼續(xù)在國(guó)防和電信市場(chǎng)提供高性能和高效率。射頻應(yīng)用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能影響未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-21
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長(zhǎng)電科技鄭力：高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來(lái)自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國(guó)際合作。長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)鄭力出席會(huì)議,發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革》主題演講。
2023-09-21
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AMD蘇姿豐：AI對(duì)未來(lái)芯片設(shè)計(jì)十分重要，已列為戰(zhàn)略重點(diǎn)
據(jù)wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會(huì)（WAIC），她在大會(huì)上表示，人工智能技術(shù)是未來(lái)芯片開發(fā)的發(fā)展方向，可以在測(cè)試和驗(yàn)證階段提供幫助。
2023-09-21
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提升直流穩(wěn)壓電路的效率并降低噪聲
在高效率非常重要的場(chǎng)合，開關(guān)穩(wěn)壓器是電壓調(diào)節(jié)的理想選擇。但是，開關(guān)穩(wěn)壓器仍然會(huì)消耗一些能量，而且開關(guān)噪聲可能是一個(gè)挑戰(zhàn)。利用 Analog Device 的直通特性，用戶可以實(shí)現(xiàn)效率的顯著提升和無(wú)噪聲運(yùn)行。負(fù)載對(duì)電壓波動(dòng)的承受能力越強(qiáng)，潛在效益越大。
2023-09-20
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使用電荷泵驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載
CS5521/23、CS5522/24/28 和 CS5525/26 系列 A/D 轉(zhuǎn)換器包含斬波穩(wěn)定儀表放大器，用于測(cè)量低電平直流信號(hào)（±100 mV 或更?。Ｔ摲糯笃髟O(shè)計(jì)用于產(chǎn)生非常低的輸入采樣電流（在 -40 至 +85?C 范圍內(nèi)，ICVF < 300 pA）。當(dāng)使用高阻抗電路進(jìn)行輸入保護(hù)時(shí)，低輸入電流可限度地減少熱電偶測(cè)量中可能出現(xiàn)的誤差，如圖 1 所示。
2023-09-20
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。
2023-09-19
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。
2023-09-18
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如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
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X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
中國(guó)北京，2023年9月14日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。
2023-09-18
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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來(lái)沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢(shì)所趨。
2023-09-15
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貿(mào)澤和Bourns聯(lián)手推出新電子書，介紹無(wú)源元件在電子設(shè)計(jì)中日益重要的作用
2023年9月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與Bourns, Inc.合作發(fā)布了一本新電子書，探討無(wú)源元件在可再生能源、混動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車等新興電子應(yīng)用中的作用。
2023-09-15
- OLED顯示器季度榜：華碩登頂，微星躍升，三星承壓
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