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安森美半導(dǎo)體榮獲Samsung Electro-Mechanics“2008最佳供應(yīng)商”獎
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)獲得Samsung Electro-Mechanics (SEM) 電源部頒發(fā)的“2008最佳供應(yīng)商”獎項(xiàng)。SEM是韓國領(lǐng)先的電子元件制造商，也是世界主要的廠商。這是安森美半導(dǎo)體連續(xù)第二年獲得SEM頒發(fā)這個(gè)極富聲望的獎項(xiàng)。
2008-11-14
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Microchip推出mTouch電感式觸摸傳感解決方案
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今天宣布推出mTouch 電感式觸摸傳感技術(shù)。這對其電容式觸摸傳感解決方案是一種互補(bǔ)。電感式觸摸傳感的基本工作原理是可以透過塑料、不銹鋼或鋁制的面板工作。該技術(shù)還可以透過手套和含有液體的表面工作。利用這一新技術(shù)，Microchip可以幫助設(shè)計(jì)人員在單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)8位、16位或32位PIC 單片機(jī)（MCU）或16位dsPIC? 數(shù)字信號控制器（DSC）中利用其現(xiàn)有應(yīng)用代碼集成電感式觸摸傳感功能，進(jìn)而降低系統(tǒng)總成本。
2008-11-14
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中電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)隆重推出電子元件技術(shù)網(wǎng)
在第72屆中國電子展（CEF）召開之際，深圳市中電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司與中電會展與信息傳播有限公司（簡稱：中電會展）結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴，隆重推出“電子元件技術(shù)網(wǎng)”（azglds.com）。
2008-11-13
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BH1620FVC與BH1720FVC：羅姆最新照度傳感器
羅姆株式會社(ROHM)最近開發(fā)出超小型電流輸出型模擬照度傳感器IC BH1620FVC和16bit串行輸出型數(shù)字照度傳感器IC BH1720FVC，以適應(yīng)以移動電話手機(jī)為首的便攜式機(jī)器和液晶電視等的要求。
2008-11-12
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美國國家半導(dǎo)體涉足太陽能電池業(yè)務(wù)
美國國家半導(dǎo)體（NI）宣布涉足太陽能電池業(yè)務(wù)，并開發(fā)成功提高太陽能電池系統(tǒng)整體輸出功率的技術(shù)“SolarMagic”。利用該技術(shù)，即使在多塊并列的太陽能電池板有污垢或板間錯位時(shí)，也能夠?qū)崿F(xiàn)各太陽能電池板發(fā)電效率的最大化。
2008-11-10
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安森美半導(dǎo)體完整時(shí)鐘解決方案滿足時(shí)鐘市場更高要求
安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）不斷開發(fā)和拓展完整的時(shí)鐘解決方案?；谠陔p極型、CMOS和0.18μm硅鍺（SiGe）BiCMOS工藝上先進(jìn)的鎖相環(huán)（PLL）電路布局和設(shè)計(jì)專業(yè)技術(shù)，安森美半導(dǎo)體25年來一直在最低抖動和skew時(shí)鐘分配性能方面領(lǐng)先業(yè)界
2008-11-07
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新一代MicroTCA連接器
標(biāo)準(zhǔn)的AdvancedTCA?和MicroTCA?硬件平臺在電信和數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用中日益流行，它們現(xiàn)在也吸引了工業(yè)應(yīng)用的注意。雅迪HARTING提供兩種可確保系統(tǒng)經(jīng)受工業(yè)環(huán)境考驗(yàn)的不同連接策略——具有con:card+質(zhì)量認(rèn)證的AdvancedMC?連接器和AdvancedMC? Plug連接器。
2008-11-05
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安森美半導(dǎo)體專家分享ESD保護(hù)的先進(jìn)技術(shù)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù)，通過先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列，使電子元件具備優(yōu)異的電路保護(hù)性能。
2008-11-04
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倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)
本文倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源電路保護(hù)為例，通過對負(fù)載短路時(shí)的電路特性的研究，提出了電路參數(shù)的選擇原則，更好的實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)。
2008-11-03
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射頻MEMS開關(guān)技術(shù)的最新進(jìn)展
數(shù)字測試、儀器和無線通信領(lǐng)域的新興應(yīng)用需要高性能的開關(guān)產(chǎn)品。未來的應(yīng)用將延續(xù)這一趨勢——需要更寬的帶寬、更低的損耗、更高的電阻可重復(fù)性和更高的線性度。以TeraVicta為代表的開關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)商將繼續(xù)利用MEMS開關(guān)技術(shù)的優(yōu)勢，推動新一代開關(guān)產(chǎn)品的發(fā)展，滿足最新應(yīng)用的需求。
2008-11-01
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采用PCTF技術(shù)降低微波/射頻器件成本
本文主要介紹了一種經(jīng)濟(jì)的射頻器件封裝技術(shù)——通鍍厚膜PCTF(Plated Copper on Thick Film)技術(shù)，該技術(shù)為無引腳SMT元件、模塊設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的封裝方案，對于中小批量生產(chǎn)尤其適用。PCTF具有技術(shù)電學(xué)性能穩(wěn)定、散熱效率高、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2008-11-01
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中芯國際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國的中芯國際（SMIC）開發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
- 即插即用語音交互解決方案：ReSpeaker XVF3800系列開發(fā)板全面上市
- 突破多電平電路設(shè)計(jì)瓶頸：ROHM新型SiC模塊實(shí)現(xiàn)2.3倍功率密度提升
- 超越機(jī)械千分表：UMBB系列LVDT傳感器實(shí)現(xiàn)超1億次循環(huán)壽命
- 英飛凌推出75mΩ CoolSiC? G2 MOSFET：以TSC/BSC散熱靈活性應(yīng)對緊湊型SMPS挑
- 博瑞集信Sub-6GHz移相器：以4.5dB低插損賦能新一代相控陣系統(tǒng)
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- 安謀科技推出新一代CPU IP，強(qiáng)化嵌入式設(shè)備AI處理能力
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- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
