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QorIQ P1012/P1021：飛思卡爾推出通信處理器

飛思卡爾半導體推出第一款基于其QorIQ 通信平臺，并且融入 QUICC Engine多協(xié)議技術的處理器。QorIQ P1012/P1021 產品系列為使用傳統(tǒng)多協(xié)議接口的客戶提供了向全IP環(huán)境遷移的高性能、低功耗路徑。

2009-12-10
FAN6754：飛兆半導體推出提升輕負載效率的PWM控制器

關注全球節(jié)能的領導廠商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出一系列脈寬調制(PWM)控制器，新產品可讓筆記本電腦電源的設計人員滿足嚴苛的國際節(jié)能規(guī)范要求，包括強制要求工作模式下最低平均效率達到87%的能源之星(ENERGY STAR)外部電源(External Power Supply, EPS) 2.0版規(guī)范。

2009-12-09
AMIS-30532/AMIS-30542：安森美推出兩款微型集成驅動IC

全球首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的高集成度集成電路(IC)，令步進電機應用中以更少的元器件和更小的電路板空間驅動大電流電機。新的AMIS-30532及AMIS-30542微步步進電機驅動器擁有大電流能力，帶集成H橋，非常適用于汽車、工業(yè)、辦公設備、醫(yī)療及船舶應用中的運動控制。

2009-12-09
NJM2841：新日本無線上市輸出電壓僅為0.8V的低飽和型穩(wěn)壓器

新日本無線針對微處理器、DSP及ASIC等數(shù)字IC用電源，上市了輸出電壓僅為0.8V的低飽和型穩(wěn)壓器“NJM2841”。輸出電流最大為500mA。

2009-12-04
productronica：領導世界電子生產制造展會

productronica：領導世界電子生產制造展會

2009-12-04
三星否認欲購并英飛凌

全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)發(fā)言人James Chung表示，三星無意購并英飛凌(Infineon)，市場上流傳的購并傳聞并不屬實；此外，英飛凌表示不愿針對市場臆測發(fā)表評論。

2009-12-01
安森美半導體推出高能效LED照明應用GreenPoint?參考設計

2009年11月25日 –應用于綠色電子產品的全球領先高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的GreenPoint?參考設計，加速及簡化高能效發(fā)光二極管(LED)照明應用的開發(fā)。

2009-12-01
Stack與NICT共同開發(fā)出新型電場探測器可準確測量出微小電場

日本Stack電子開發(fā)出了可準確測量微小電場分布狀態(tài)的光外差法光電效應電場探測器“LEO-Probe”。該產品采用日本信息通信研究機構（NICT）轉讓的技術開發(fā)，適用于電子設備的EMC測量、天線附近的電場測量、開發(fā)高頻電路時的驗證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態(tài)分析等。

2009-11-27
ACS710：Allegro推出120kHz帶寬的電流傳感器

ACS710 120-kHz帶寬高壓隔離電流傳感器IC主要針對工業(yè)、商業(yè)以及通信系統(tǒng)。器件由精確線性霍爾傳感器和位于硅芯片表面附件的銅導體組成。性能包括用于低功耗和用戶可調的過流故障電平的3~5.5V單電源運行1mΩ初級導體電阻。

2009-11-26
顯示器有望成為MEMS飛速增長的引擎

MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是微機電系統(tǒng)的縮寫。MEMS是美國的叫法，在日本被稱為微機械，在歐洲被稱為微系統(tǒng)。MEMS主要包括微型機構、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應的處理電路等幾部分，它是在融合多種微細加工技術，并應用現(xiàn)代信息技術的最新成果的基礎上發(fā)展起來的高科技前沿學科。

2009-11-26
柯尼卡美能達將投建有機EL照明產品試產線

柯尼卡美能達控股（Konica Minolta Holdings）近日宣布，將投入35億日元建設用于確立有機EL照明產品生產技術的試產線（Pilot Line）。預定在2010年秋季完成建設，目標是在2010年度內開始限量銷售。“

2009-11-25
FDFMA2P859T:飛兆半導體推出行業(yè)領先的薄型封裝MOSFET

飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應用至關重要的效率和熱性能需求。

2009-11-25

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