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Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
2010-07-20
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電子元器件：每周數(shù)據(jù)追蹤
根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所報告，受全球產(chǎn)業(yè)景氣、中國內(nèi)需市場等多重因素拉動，10年上半年國內(nèi)IC產(chǎn)值同比增速估計高達35%；但市場需求已放緩，庫存亦有緩慢抬升趨勢，預(yù)估10年銷售收入1380億元，增速在25%~30%，創(chuàng)歷史新高。
2010-07-20
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供需現(xiàn)差異 部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長至20周
iSuppli指出，整體市場的交貨期比一個月以前所預(yù)期的拉長很多;例如功率 MOSFET 與小型訊號晶體管的交貨期在6月時約20周，雙極功率組件(bipolar Power devices)與整流器的交貨期則為18周;而在正常情況下，這些零組件的交貨期應(yīng)該是10~12周。
2010-07-19
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SEMI：2010年半導(dǎo)體設(shè)備市場將達325億美元 中國大陸增長138%
SEMI近日在SEMICON West展會上發(fā)布了SEMI Capital Equipment Forecast年中報告，根據(jù)該報告2010年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達到325億美元。
2010-07-19
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鋰電池保護電路綜述
鋰離子電池的保護電路就是要確保這樣的過度充電及放電狀態(tài)時的安全性，并防止特性劣化。鋰離子電池的保護電路是由保護IC及兩顆功率MOSFET所構(gòu)成，其中保護IC監(jiān)視電池電壓，當有過度充電及放電狀態(tài)時切換到以外掛的功率MOSFET來保護電池，保護IC的功能有過度充電保護、過度放電保護和過電流／短路保護。
2010-07-18
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意法半導(dǎo)體（ST）縮小電涌保護器件尺寸
保護IC的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的電涌保護芯片，通過將額定電涌能量吸收能力擴展到最大工作溫度，新產(chǎn)品有助于降低電子設(shè)備電涌保護器件的尺寸和成本。而市場現(xiàn)有競爭產(chǎn)品的保護性在工作溫度超過25°C時會大幅降低。
2010-07-16
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Mouser 備貨德州儀器MSP430? MCU Value Line和開發(fā)套件
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名，近日宣布備貨最新的德州儀器（TI）MSP430? Value Line 系列——超低價格的16位微處理器（MCU）。
2010-07-15
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Mouser 宣布備貨霍尼韋爾Limitless? WGLA 系列全局限位開關(guān)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名，近日宣布備貨霍尼韋爾傳感控制Limitless? WGLA 系列全局限位開關(guān)。
2010-07-15
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基于ARM構(gòu)架的Energy Micro低功率解決方案
能源敏感應(yīng)用的配置不斷增加，它是指設(shè)備必須因為各種原因用一個單一電池長時間運作。通常包括的應(yīng)用有能源計量、傳感器網(wǎng)絡(luò)或環(huán)境監(jiān)測的其它形式，在這些應(yīng)用中設(shè)備的占空比很低，因此希望運行多年而不會受到用戶干預(yù)。 許多這些設(shè)備將使用流行的CR2032紐扣電池;一種3V的鋰/二氧化錳原電池。與5.6kΩ負載的2V終點電壓一樣，這些紐扣電池的典型容量為230mAh，相當于約0.5毫安的放電，這使它們的壽命長達400小時。但是，這種紐扣電池設(shè)計具有約為0.25μA的自放電率，這意味著它的保質(zhì)期會長達20年。 在這兩個極端之間的就是能源敏感的應(yīng)用;它在低電壓下運行的設(shè)備中電流消耗最小, 還提供可靠、可持續(xù)的功能。因此，很明顯，任何希望用一個單紐扣電池就實現(xiàn)類似主動壽命的應(yīng)用都需要能夠?qū)⑵骄枨罅烤S持在約0.25μA。
2010-07-15
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全面解析今年一季全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機構(gòu)SICAS近期的統(tǒng)計數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片計?？偟陌雽?dǎo)體SC數(shù)據(jù)，包括雙極數(shù)據(jù)由5英寸轉(zhuǎn)換成8英寸利用轉(zhuǎn)換率0.391及分立器件由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸，利用轉(zhuǎn)換率0.563。
2010-07-15
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第五屆電磁兼容技術(shù)研討勝利閉幕，西部需求亮點凸顯
2010年9月14日，成都—電子元件技術(shù)網(wǎng)（azglds.com）攜手中國電子展、China Outlook Consulting于9月8日在成都嬌子國際會議中心成功舉辦了第五屆電路保護與電磁兼容技術(shù)研討會——電磁兼容專場。本次研討會聚集了多家國內(nèi)外知名元器件廠商、測試廠商和仿真軟件廠商參與演講，并邀請歐盟EMC認證專家舉行了專場技術(shù)講座，會場觀眾爆滿，氣氛熱烈，參與演講的技術(shù)專家與280位專業(yè)聽眾朋友分享了最新的電磁兼容技術(shù)趨勢與設(shè)計策略，并回答了熱心聽眾的提問。
2010-07-15
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第四屆節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會勝利閉幕 風(fēng)能應(yīng)用成為關(guān)注熱點
2010年9月14日，成都—電子元件技術(shù)網(wǎng)（azglds.com）攜手中國電子展、China Outlook Consulting于9月7日在成都世紀城嬌子會議中心成功舉辦了第四屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會。在本屆節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會上，Vishay、臺灣麥肯、英飛凌、AVC、創(chuàng)意電子等電子元器件供應(yīng)商針對節(jié)能應(yīng)用紛紛推出創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案，到會專業(yè)聽眾達到200多人。從諸多方案中可以發(fā)現(xiàn)，可靠性和智能控制正在成為電子行業(yè)節(jié)能設(shè)計中越來越受關(guān)注的話題。
2010-07-15
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