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Vishay推出業(yè)界最薄的表面貼裝車用TVS

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列1500W表面貼裝車用瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS) --- TPC系列，器件的厚度為業(yè)界最薄 --- 僅有1.1mm，擊穿電壓為6.8V～43V。TPC系列采用eSMPTM TO-277A封裝，占位面積比采用傳統(tǒng)SMC封裝的器件小27%。

2009-10-14
TNPU e3系列：Vishay 推出新型高精度薄膜扁平片式電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2009年 10 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式電阻，外殼尺寸分別為0603、0805和1206

2009-10-13
293D系列/TR3:Vishay發(fā)布新款63V固鉭貼片電容器

Hi-Rel COTS的T83、低ESR 的TR3和標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)級的293D固鉭貼片電容器的額定電壓提高至63V，并可滿足+28V電源的降額要求

2009-10-12
增強型VTAZ系列:Vishay推出超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻

Vishay推出增強型VTAZ系列超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻,該電阻的改進(jìn)可直接替代所有領(lǐng)域的線繞電阻，在精度和穩(wěn)定性方面可直接替代薄膜電阻。

2009-10-12
IHLP-6767GZ-11：Vishay新款高性能IHLP電感器

日前，Vishay宣布，推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器中最高的。

2009-09-25
Vishay推出新型可配置平面變壓器

日前，Vishay宣布，推出新型通用平面變壓器 --- Vishay Sfernice PLAC 100，可用于反激式、前向式、推挽式和半橋轉(zhuǎn)換器等開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用。

2009-09-23
VHP100：Vishay超高精度氣密Bulk Metal箔電阻

日前，Vishay宣布，推出新型密封的超高精度Bulk Metal箔電阻 --- VHP100，借由該器件的低電阻溫度系數(shù)，Vishay引入了新的窗口概念。根據(jù)窗口定義，在特定溫度范圍內(nèi)，絕對電阻保持在規(guī)定的窗口內(nèi)。

2009-09-21
8S2TH06I-M：Vishay高性能600V PFC高頻整流器

日前，Vishay宣布推出新的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器 --- 8S2TH06I-M。Vishay今天推出的新款整流器具有極快的反向恢復(fù)時間、低前向電壓降和低封裝熱阻，可減少在高效的連續(xù)電流模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)應(yīng)用中的損耗。

2009-09-11
Vishay專家與觀眾現(xiàn)場問答集錦

Vishay電容器部門區(qū)域市場經(jīng)理黃勇先生在功率器件與模塊電源技術(shù)研討會上做了題目為《軍用高可靠性鉭電容和MLCC電容》的演講，在互動環(huán)節(jié)中，工程師觀眾踴躍提問，下面是部分精彩問答的摘錄。

2009-09-01
專家縱論技術(shù)熱點功率器件與模塊電源技術(shù)研討會開幕

8月28號下午，功率器件與模塊電源技術(shù)研討會開幕，電子元件技術(shù)網(wǎng)CEO劉杰博士首先分享了西部電子市場的成長與機會，Vishay、泰科電子、RECOM和飛兆半導(dǎo)體的專家分別作了主題演講。

2009-09-01
SiE876DF：Vishay導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。

2009-08-26
DFN系列：Vishay精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻

日前，Vishay宣布，推出業(yè)界首款精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻 --- DFN系列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平面無鉛封裝。與傳統(tǒng)的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，DFN系列的新封裝可節(jié)省53%的印制電路板空間。

2009-08-25

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