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安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對大模型訓(xùn)練、實時推理等場景帶來的指數(shù)級能耗增長，全球領(lǐng)先的智能電源與感知技術(shù)供應(yīng)商安森美（onsemi）正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術(shù)的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中心提供從電網(wǎng)接入到芯片供電的完整能效優(yōu)化路徑。
2025-06-25
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個設(shè)計不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對負(fù)載變化和輸入電壓波動的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
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破局電動車?yán)m(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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戰(zhàn)略布局再進(jìn)一步：意法半導(dǎo)體2025股東大會關(guān)鍵決議全票通過
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動能。
2025-06-20
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
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破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓?fù)溥x擇策略
工業(yè)設(shè)備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴(yán)苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風(fēng)扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設(shè)計，對比升壓與圖騰柱拓?fù)涞膶崙?zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。
2025-06-19
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高結(jié)溫IC設(shè)計避坑指南：5大核心挑戰(zhàn)與應(yīng)對策略
在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域，高溫環(huán)境對集成電路的性能、可靠性和安全性構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。隨著應(yīng)用場景向極端溫度條件延伸，高結(jié)溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問題日益凸顯，亟需通過創(chuàng)新設(shè)計技術(shù)突破技術(shù)瓶頸。本文將解析高溫對集成電路的深層影響，揭示高結(jié)溫帶來的五大核心挑戰(zhàn)，并探討針對性的高功率設(shè)計解決方案。
2025-06-18
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高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運(yùn)行。Ionautics 成立于 2010 年，長期深耕于電離物理氣相沉積領(lǐng)域， HiPSTER 25提供高達(dá) 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運(yùn)行模式，還極大提升了性能與能量效率。
2025-06-13
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安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。
2025-06-12
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低排放革命！貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破
全球電子元器件及工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商——貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)，近日發(fā)布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列的新一期內(nèi)容《低排放、再利用、重塑未來的技術(shù)》。本期EIT系列專注于探索那些能夠改善環(huán)境的清潔技術(shù)，并提供面向未來的創(chuàng)新工程解決方案，旨在通過技術(shù)革新推動可持續(xù)發(fā)展的進(jìn)程。
2025-06-11
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集成化柵極驅(qū)動IC對多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/a>
在新能源汽車主驅(qū)模塊（如800V平臺）中，多電平拓?fù)渫ㄟ^串聯(lián)開關(guān)器件實現(xiàn)高壓階梯化處理，但分立式驅(qū)動方案面臨兩大核心挑戰(zhàn)。
2025-06-10
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挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設(shè)計的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導(dǎo)體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴(kuò)大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺的創(chuàng)新設(shè)計證明：通過材料革新（如SiC/GaN）與動態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導(dǎo)’為結(jié)溫危機(jī)，并拆解工業(yè)級解決方案的底層邏輯。
2025-06-09
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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