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數(shù)字控制電源性能提高的設計方案
在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。
2011-12-30
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意法半導體（ST）鞏固在能效功率控制市場的領導地位
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術領域是一次巨大飛躍。
2011-12-29
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單相正弦脈寬調(diào)制逆變器的設計
當鐵路、冶金等行業(yè)的一些大功率非線性用電設備運行時，將給電網(wǎng)注入大量的諧波，導致電網(wǎng)電壓波形畸變。根據(jù)我們的實驗觀察，在發(fā)生嚴重畸變時，電壓會出現(xiàn)正負半波不對稱，頻率也會發(fā)生變化。這樣的供電電壓波形，即使是一般的電力用戶，也難以接受，更無法用其作為檢修、測試的電源。同時，在這種情況下，一般的穩(wěn)壓電源也難以達到滿意的穩(wěn)壓效果。為此，我們設計了該逆變電源。其控制電路采用了2片集成脈寬調(diào)制電路芯片SG3524，一片用來產(chǎn)生PWM波，另一片與正弦函數(shù)發(fā)生芯片ICL8038做適當?shù)倪B接來產(chǎn)生SPWM波。集成芯片比分立元器件控制電路具有更簡單、更可靠的特點和易于調(diào)試的優(yōu)點。
2011-12-29
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ArcticLink III VX：QuickLogic推出增強可視性的顯示器接口解決方案
QuickLogic公司在低功耗客制化標準產(chǎn)品（CSSP）領域領先，近日宣布推出一個新系列增強可視性的顯示器接口解決方案ArcticLink III VX，用于移動市場。這個系列的器件幫助設計人員解決了處理器和顯示屏之間的顯示屏接口不兼容的問題，同時提高了顯示屏可視性以及系統(tǒng)中電池的壽命。 ArcticLink III VX 平臺系列充份利用QuickLogic最新一代經(jīng)過OEM證明的VEE（視覺增強引擎）和DPO（顯示屏用電最優(yōu)化）技術，實際上解決了平板電腦和智能電話設計中使用的所有顯示屏的連接問題。
2011-12-28
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全球功率半導體市場2011年成長3.7%
市場研究機構IMS Research預測，全球功率半導體(power semiconductor)市場在 2011年成長3.7%之后， 2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模；IMS將該市場今明兩年相對較低的成長率表現(xiàn)，歸咎于全球經(jīng)濟景氣不確定以及供應鏈積極削減庫存的行動。全球功率半導體市場2010年成長率高達37%，該市場預期要到2013年才會恢復兩位數(shù)字成長。
2011-12-28
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MIC：2012年兩岸太陽能產(chǎn)業(yè)引領全球
資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)表示，全球太陽能光電市場面臨歐債風暴、電廠建置規(guī)范、可再生能源應用政策、貿(mào)易壁壘等情勢，2012年全球市場將面對更多的不確定因素；在技術發(fā)展方面，硅晶技術制程創(chuàng)新、PV新興技術轉(zhuǎn)換效率提升、太陽熱能技術進展，都是未來太陽光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的觀察重點。
2011-12-27
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ML7109S：羅姆聯(lián)合清華大學開發(fā)出小型/低功耗解調(diào)IC用于地面數(shù)字電視
羅姆集團旗下的LAPIS Semiconductor Co., Ltd.通過與中國清華大學技術合作，現(xiàn)已成功開發(fā)出最適宜對按照中國地面數(shù)字電視傳輸標準（GB 20600-2006）（DTMB）信號進行高性能解調(diào)、糾錯的IC “ML7109S”。
2011-12-27
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2012年LTPS及IGZO面板將迅速成長150%
據(jù)NPD DisplaySearch 智能手機和平板電腦爆發(fā)式成長，使得LTPS（low temperature polysilicon低溫多晶硅技術）和IGZO（indium gallium zinc oxide組成的非結晶氧化物半導體技術）等生產(chǎn)高分辨率顯示器技術更為重要。這些TFT技術采用高移動速率半導體材料以減小TFT維度，提高光穿透率。分辨率超過每英寸230像素(230 PPI)的液晶面板，如蘋果的Retina Display，高光穿透率可以使能耗降到最低，使可攜式設備可長時間使用而不用充電。
2011-12-27
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2012年全球PDP面板出貨量將下跌5%
DIGITIMES報告指出，2011年全球PDP面板市場預估為1775萬片，將較2010年的1880萬片減少5.6%，苦于產(chǎn)能過剩及日圓高漲的日本PDP大廠Panasonic，已決定將其PDP面板產(chǎn)能從每年1380萬片降至720萬片(以42英寸面板換算)，并對其電視事業(yè)進行重組，可看出Panasonic體認今后PDP面板應用市場成長空間恐有限，因此采取保守的經(jīng)營策略，今后將擴大非電視（Non-TV）應用的PDP市場開發(fā)。
2011-12-26
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ADI公司iMEMS技術應用于高精度箭術運動
Analog Devices, Inc (ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近將備受贊譽的 iMEMS? 技術應用于首款高精度箭術運動的測量系統(tǒng)中。Full Flight Technology 公司選擇 ADI 公司的三軸數(shù)字 MEMS（微機電系統(tǒng)）加速度計 ADXL346，用于其旗艦產(chǎn)品 Velocitip 彈道系統(tǒng)，首次通過箭身貼裝器件提供有關箭速、飛行動力學和弓性能的詳細信息。Full Flight Technology 公司是一流彈道測量技術的領先創(chuàng)新者和開發(fā)商，公司位于美國馬薩諸塞州劍橋市。
2011-12-23
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一種新型CMOS圖像傳感器的設計
金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時起步的。CCD是應用在攝影攝像方面的高端技術元件，CMOS則應用于較低影像品質(zhì)的產(chǎn)品中。由于CCD器件有光照靈敏度高、噪音低、像素小等優(yōu)點，所以在過去15年里它一直主宰著圖像傳感器市場。與之相反，CMOS圖像傳感器過去存在著像素大，信噪比小，分辨率低這些缺點，一直無法和CCD技術抗衡。但是隨著大規(guī)模集成電路技術的不斷發(fā)展，過去CMOS圖像傳感器制造工藝中不易解決的技術難關現(xiàn)已都能找到相應解決的途徑，從而大大改善了CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量。
2011-12-23
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交錯并聯(lián)的低壓大電流DC - DC 變換器設計
本文通過n 個倍流整流結構交錯并聯(lián)方式用以進一步減小紋波電流。給出了電路的開關信號波形和仿真模型， 并使用Pspice 仿真軟件對該模型進行仿真， 取得滿意效果。最后通過實驗驗證。這種結構特別適用于通信設備、計算機、宇航等領域的電源。
2011-12-23
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