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5 GHz功率放大器，為下一代Wi-Fi應(yīng)用而生
Microsemi提供用于下一代Wi-Fi應(yīng)用的功率放大器，不斷豐富現(xiàn)在包含功率放大器和前端器件的IEEE 802.11ac產(chǎn)品組合。LX5509具有標(biāo)準(zhǔn)化的引腳輸出，可讓客戶稍后能夠使用美高森美正在開發(fā)的較大功率5 GHz PA來提升系統(tǒng)的性能水平，而無需改變電路布局。
2012-12-19
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如何測試單芯鋰離子的線性IC充電器
單芯鋰離子的線性IC充電器其效率仍能與開關(guān)模式充電器相比。線性充電器亦提供一些額外的優(yōu)點。它們幾乎不產(chǎn)生 EMI（電磁干擾），它們不需要電感，并且它們需要的電容器數(shù)也少于開關(guān)模式充電器。
2012-12-18
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第四屆智能手機工作坊：教您設(shè)計與眾不同
在智能手機競爭高度同質(zhì)化和利潤低下的今天，該如何捕捉下一代移動手持設(shè)備的行業(yè)前景和發(fā)展規(guī)律，選擇和利用好下一代智能手機平臺開發(fā)出有獨特賣點的 差異化產(chǎn)品？聽聽ST-Ericsson、Micron、Torex、Lecroy、風(fēng)揚高科、UBM Techinsight專家的觀點吧！
2012-12-15
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如何設(shè)計適用于基礎(chǔ)電信系統(tǒng)的電源
隨著帶寬的不斷增加，有線和無線基礎(chǔ)電信系統(tǒng)中的放松管制和競爭推動了對于低成本設(shè)備解決方案的需求。電信設(shè)備電源管理要求中需要應(yīng)對的挑戰(zhàn)不斷增加，這就愈加要求設(shè)計人員能夠為各種數(shù)字信號處理器 (DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、專用集成電路 (ASIC) 和微處理器提供更多的電壓軌。
2012-12-15
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什么是電聲器件？
電聲器件（electroacoustic device）：指電和聲相互轉(zhuǎn)換的器件，它是利用電磁感應(yīng)、靜電感應(yīng)或壓電效應(yīng)等來完成電聲轉(zhuǎn)換的，包括揚聲器，耳機，傳聲器，唱頭等。
2012-12-15
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什么是麥克風(fēng)？
麥克是一種不同尋常的音樂設(shè)備。本質(zhì)上說，它算不上一種“樂器”，學(xué)名為傳聲器，是將聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號的能量轉(zhuǎn)換器件，由Microphone翻譯而來。也稱話筒、微音器。二十世紀(jì)，麥克風(fēng)由最初通過電阻轉(zhuǎn)換聲電發(fā)展為電感、電容式轉(zhuǎn)換，大量新的麥克風(fēng)技術(shù)逐漸發(fā)展起來，這其中包括鋁帶、動圈等麥克風(fēng)，以及當(dāng)前廣泛使用的電容麥克風(fēng)和駐極體麥克風(fēng)。
2012-12-15
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飽嘗高壓MOSFET缺貨之苦，晶片商搶推整合LED驅(qū)動器
為了讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦，包括恩智浦、意法半導(dǎo)體(ST)、包爾英特(PI)等晶片制造商，已紛紛推出整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動IC方案，以確?？蛻鬖ED照明產(chǎn)品出貨無虞，同時借機壯大在LED照明驅(qū)動IC的市場版圖。
2012-12-14
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明年量產(chǎn)的GaN功率元件將替代SiC元件
GaN功率元件與現(xiàn)有的Si相比可大幅削減電力損失，作為新一代功率半導(dǎo)體材料與SiC一樣備受關(guān)注。SiC功率元件不斷得到空調(diào)、音響設(shè)備、工業(yè)設(shè)備及鐵路車輛的逆變器等的采用，而GaN功率元件在應(yīng)用方面卻一直落后于SiC。
2012-12-13
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GaN壓力來襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價格過高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實際應(yīng)用都很少。隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點，受到越來越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時才會實現(xiàn)大規(guī)模商用，成為業(yè)界關(guān)注的焦點。
2012-12-13
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MOS晶體管
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結(jié)構(gòu)：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關(guān)晶閘管(EST)。
2012-12-13
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MCM的電磁兼容性研究
對MCM功率電源而言，由于其工作在幾百kHz的高頻開關(guān)狀態(tài)，故易成為干擾源。電磁兼容性EMC（Electro Magnetic Compatibility），是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。
2012-12-12
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淺析電源網(wǎng)格
集成電路電源分配系統(tǒng)的用途是提供晶體管執(zhí)行芯片邏輯功能所需的電壓與電流。在0.13微米以下工藝技術(shù)時，IC設(shè)計師不能再想當(dāng)然地認(rèn)為VDD和VSS網(wǎng)絡(luò)設(shè)計是正確的，必須進(jìn)行詳盡的分析才能確認(rèn)他們的電源分配方法是否真的具有魯棒性。
2012-12-12
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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