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經(jīng)濟(jì)方便的提升消費(fèi)電子音質(zhì)的D類音頻開發(fā)
Silicon Labs 為32位嵌入式設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化數(shù)字D類音頻開發(fā)，外部組件僅需要便宜的電感、電容和鐵氧體磁珠，并且無需專門的功率場(chǎng)效晶體管?？梢越?jīng)濟(jì)方便的提升消費(fèi)電子的音質(zhì)。
2012-12-29
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LTE智能手機(jī)差異化設(shè)計(jì)點(diǎn)：基帶平臺(tái)
下一代智能手機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)將集中于LTE（4G），而LTE也成為手機(jī)芯片大廠逐鹿的新戰(zhàn)場(chǎng)。在高通、ST-Ericsson之后，博通也宣布跨入LTE芯片市場(chǎng)，加上聯(lián)發(fā)科明年的第一代產(chǎn)品亮相，LTE手機(jī)平臺(tái)大戰(zhàn)將一觸即發(fā)。本文進(jìn)行LTE基帶平臺(tái)的盤點(diǎn)和展望。
2012-12-29
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蘋果獲Micro SIM連接器專利 延續(xù)標(biāo)準(zhǔn)大戰(zhàn)
據(jù)Patentlyapple網(wǎng)站報(bào)道，蘋果Micro SIM(微型SIM卡)專利昨日獲得正式批準(zhǔn)。此項(xiàng)專利能幫助用戶更方便地拔插SIM卡，在用戶插入不當(dāng)時(shí)也可以保證設(shè)備不會(huì)受損，同時(shí)提供了可靠的機(jī)械性能。
2012-12-28
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中科院研制出可提升中國(guó)國(guó)產(chǎn)IC的競(jìng)爭(zhēng)力的MOSFET組件
中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個(gè)數(shù)量級(jí)以及金屬閘主動(dòng)功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進(jìn)一步提升的22nm MOSFET 組件。
2012-12-28
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在LVDS 接口中加入TVS保護(hù)，防止靜電干擾
LVDS 數(shù)據(jù)線連接廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸，例如，在商用打印機(jī)或者LCD 面板 與轉(zhuǎn)接板的連接。這些應(yīng)用需要TVS保護(hù)是由于使用了敏感的IC 器件，因此在信號(hào)線增加的TVS要方便走線。
2012-12-28
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完全符合汽車級(jí)ESD與EMI要求的雙向器件如何設(shè)計(jì)？
汽車級(jí)IC中采用新型三維箝位器件來整合魯棒性。通過確定互補(bǔ)“T”形與孤島有效區(qū)域，以控制高電平注入再生反饋期間的電子驅(qū)動(dòng)或空穴驅(qū)動(dòng)電流增益，可以最佳狀態(tài)實(shí)現(xiàn)高保持電壓雙向閉鎖箝位。箝位器件已集成至信號(hào)調(diào)理應(yīng)用，完全符合汽車級(jí)ESD與EMI要求。
2012-12-28
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EPB
EPB是Electrical Park Brake的縮寫，電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)代替了傳統(tǒng)的機(jī)械杠桿和輪胎鋼索，能為司機(jī)提供更好的幫助，說白了就是取代傳統(tǒng)拉桿手剎的電子手剎按鈕. 比傳統(tǒng)的拉桿手剎更安全,不會(huì)因駕駛者的力度而改變制動(dòng)效果,把傳統(tǒng)的拉桿手剎變成了一個(gè)觸手可及的按鈕。此系統(tǒng)也釋放了前排座間的空間，在大多數(shù)汽車中，這部分空間有其他的用途。在電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)中，制動(dòng)力可調(diào)節(jié)，從而與縱向傾斜度設(shè)置的需求相匹配。汽車啟動(dòng)或加速時(shí)，按下按鈕它會(huì)自動(dòng)釋放鎖住剎車。
2012-12-28
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蘋果正式獲Micro SIM卡連接器專利
近日，蘋果正式獲得了一項(xiàng)有關(guān)Micro SIM卡連接器的專利，能幫助用戶更方便地拔插SIM卡，在用戶插入不當(dāng)時(shí)也可以保證設(shè)備不會(huì)受損，同時(shí)提供了可靠的機(jī)械性能。
2012-12-27
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具有限流檢測(cè)功能、過熱保護(hù)功能和軟啟動(dòng)功能的開關(guān)穩(wěn)壓器
圣邦微電子提供可耐壓38V的新款非同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。該產(chǎn)品具有周期輪詢限流檢測(cè)功能、過熱保護(hù)功能和軟啟動(dòng)功能，以及可以規(guī)避由于輸入電壓不穩(wěn)帶來的系統(tǒng)誤操作的欠壓鎖定功能。帶散熱焊盤的SOIC-8封裝，可以極大改善整個(gè)芯片的散熱能力。
2012-12-27
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如何用一只無緩沖CMOS六反相器做出測(cè)試儀器？
本文討論了如何用一種六反相器IC做出四種測(cè)試件：一個(gè)有良好定義邏輯電壓窗口的邏輯筆，輸入阻抗約為1MΩ；一個(gè)開路測(cè)試儀，上限電阻可以從幾十歐到幾十兆歐；一個(gè)單脈沖或脈沖串注入器或簡(jiǎn)單的信號(hào)發(fā)生器；還有一個(gè)是高阻音頻探頭。使用一只4069中的六個(gè)反相門、兩或三只電阻，以及少許無源元件， 就可以做出這些測(cè)試儀器。
2012-12-27
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GaN耐壓600V產(chǎn)品亮相，SiC功率元件開發(fā)加快
進(jìn)入2012年后，SiC功率元件的開發(fā)也在加快，最先行動(dòng)的是羅姆，，科銳及三菱電機(jī)則緊跟其后。GaN功率元件在2012年也有長(zhǎng)足進(jìn)步，已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相，2013年相關(guān)行動(dòng)將更為活躍。
2012-12-26
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羅姆首款無需肖特基勢(shì)壘二極管的SiC-MOS模塊已開始量產(chǎn)
通常，為了實(shí)現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來實(shí)現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長(zhǎng)期以來很難保持小型尺寸。羅姆近日成功開發(fā)出無需整流元件—二極管的SiC功率模塊，支持1200V/180A，大幅降低逆變器電力損耗，現(xiàn)已開始量產(chǎn)。
2012-12-26
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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