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第81屆中國(guó)電子展主打新一代信息技術(shù)四大應(yīng)用領(lǐng)域
新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)是國(guó)家確立的七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一，代表了未來電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，對(duì)推動(dòng)我國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)方式轉(zhuǎn)變、加快經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整、提高人民生活水平具有重要的戰(zhàn)略作用。將于2013年4月10-12日舉辦的第81屆中國(guó)電子展（www.icef.com.cn/spring ）上。
2013-01-14
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什么是前置放大器？
前置放大器是指把音頻（AUX、MIC）信號(hào)放大至功率放大器所能接受的輸入范圍。
2013-01-13
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如何解決電源設(shè)計(jì)中IC驅(qū)動(dòng)電流不足的問題
在電源設(shè)計(jì)中，工程師通常會(huì)面臨控制IC驅(qū)動(dòng)電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制IC功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會(huì)采用外部驅(qū)動(dòng)器。
2013-01-12
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前端電源設(shè)備接口電路設(shè)計(jì)
Microsemi公司宣布其新的先進(jìn)的前端電源設(shè)備（PD）接口控制器（IC），應(yīng)用于高功率HDB ASE-T和四對(duì)電源的以太網(wǎng)供電（PoE）應(yīng)用程序。
2013-01-11
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經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道功率MOSFET
近日，Vishay推出采用7腳D2PAK封裝的新款Siliconix 40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流。
2013-01-10
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具備高信噪比和高靈敏度地MEMS麥克風(fēng)
Bosch旗下Akustica新推4款MEMS麥克風(fēng)。新型麥克風(fēng)的63dB高信噪比(SNR)、超寬頻率響應(yīng)與+/-2dB完美匹配靈敏度。
2013-01-10
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增強(qiáng)型通信IC系列為以太網(wǎng)供電應(yīng)用的理想選擇
光隔離I2C總線轉(zhuǎn)發(fā)器，提供了一個(gè)集成的單一封裝解決方案，最大限度地減少電路板空間，并減少了元件數(shù)量。此外，提供無(wú)干擾的操作，以及出色的可靠性和很長(zhǎng)的運(yùn)行壽命。
2013-01-09
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可高頻工作、大幅度地降低開關(guān)損耗的降壓穩(wěn)壓器
由于單片機(jī)和數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）不斷推陳出新, 電路板設(shè)計(jì)方案也不斷升級(jí),盡管功率有所增加，但產(chǎn)品尺寸卻不能增大了。因此，高密度穩(wěn)壓器便順著最新IC集成技術(shù)、MOSFET及封裝工藝的改良而不斷發(fā)展。
2013-01-09
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整個(gè)BOM僅需要兩個(gè)旁路電容的Si7005傳感器
Si7005濕度傳感器是Silicon Labs傳感器產(chǎn)品組合的最新成員，是“即插即用”、由工廠校準(zhǔn)的RH和溫度傳感的理想選擇。其具備易用、可靠、小尺寸、低功耗和兼容性等無(wú)與倫比的特性組合。
2013-01-09
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【盤點(diǎn)】存儲(chǔ)模塊連接器，你用對(duì)了嗎？
筆記本內(nèi)存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇，請(qǐng)看本文詳細(xì)解讀？
2013-01-09
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使處理器芯片獲益的外部電源管理器件和電源IC
本文介紹了這些方法的概念，以及我們?nèi)绾芜\(yùn)用它們實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目的，同時(shí)還討論了幫助處理器芯片獲益的一些外部電源管理器件和電源IC。
2013-01-09
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探測(cè)距離可達(dá)1米的接近傳感器發(fā)布
Vishay發(fā)布探測(cè)距離可超過1米，同時(shí)具有優(yōu)異的抵御環(huán)境光能力的全集成接近傳感器，該傳感器把紅外發(fā)射器、光電二極管、信號(hào)處理IC和16位ADC集成進(jìn)小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm的封裝，是目前最具市場(chǎng)潛力的小尺寸，全集成產(chǎn)品。
2013-01-08
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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