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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
2011-04-01
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IHLP-3232DZ-11:Vishay推出3232外形尺寸電感器用于終端電壓調(diào)節(jié)
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款I(lǐng)HLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11。
2011-03-31
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Vishay兩產(chǎn)品榮獲EN-Genius的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，其VCNL4000接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器及SiR880DP ThunderFET? 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network (www.en-genius.net)頒發(fā)的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)，該網(wǎng)站在為電子設(shè)計(jì)工程師提供信息來(lái)源方面走在業(yè)界前列。
2011-03-30
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PLTT:Vishay推出更大工作溫度范圍的精密薄膜電阻應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT。與傳統(tǒng)薄膜電阻相比，PLTT電阻的工作溫度范圍幾乎擴(kuò)大了100℃，并具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR和低至±0.02%的容差。
2011-03-29
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RCG e3:Vishay推出首款綠色厚膜矩形貼片電阻適用于通信設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出業(yè)界首款綠色、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無(wú)任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3。
2011-03-25
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DG9454：Vishay Siliconix 推出SPDT開關(guān)用于3D快門式眼鏡
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出針對(duì)3D快門式眼鏡進(jìn)行優(yōu)化的新款小尺寸三端SPDT(三端 2:1)開關(guān)--- DG9454。在2.7V～13.2V的V+和2.5V～+5.5V的VL工作電壓范圍內(nèi)，DG9454可確保與1.8V邏輯兼容，且功耗不到1μA，能夠大大延長(zhǎng)電池壽命。器件采用超小型1.8mm x 2.6mm miniQFN-16封裝，能夠?yàn)榻K端用戶提供更小、更輕的3D護(hù)目鏡。
2011-03-24
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小Lug安裝空間的NTC熱敏電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有65mm2/ 0.1 in2的業(yè)內(nèi)最小Lug安裝空間的新系列Mini Lug負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻--- NTCALUG03。新器件的最短響應(yīng)時(shí)間小于4秒，能夠在-40℃～+125℃溫度范圍內(nèi)快速、精確地測(cè)量出溫度。
2011-03-23
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Vishay大幅擴(kuò)充TMBS?整流器產(chǎn)品線
采用功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封裝的器件具有10A～60A的寬電流等級(jí)范圍，在5A電流下的典型VF低至0.28V
2011-03-22
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Vishay推出T86系列固鉭貼片電容器用于航空和軍事
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Hi-Rel COTS系列固鉭貼片電容器。這些電容器提供威布爾分級(jí)、符合per MIL PRF 55365標(biāo)準(zhǔn)的浪涌電流測(cè)試選項(xiàng)、低ESR選項(xiàng)，并且內(nèi)置熔絲，從而在關(guān)鍵應(yīng)用中達(dá)到高可靠性和提供短路保護(hù)。
2011-03-21
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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于手持電子設(shè)備
SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形；SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件
2011-03-16
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SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該數(shù)值是衡量DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。
2011-03-10
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PLT系列：Vishay推出增強(qiáng)型精密低TCR薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，這些器件具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR。
2011-03-09
- 研華AMAX革新城式：三合一平臺(tái)終結(jié)工業(yè)控制“碎片化”困局
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