-
SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
2011-04-01
-
IHLP-3232DZ-11:Vishay推出3232外形尺寸電感器用于終端電壓調(diào)節(jié)
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款I(lǐng)HLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11。
2011-03-31
-
Vishay兩產(chǎn)品榮獲EN-Genius的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，其VCNL4000接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器及SiR880DP ThunderFET? 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network (www.en-genius.net)頒發(fā)的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)，該網(wǎng)站在為電子設(shè)計(jì)工程師提供信息來源方面走在業(yè)界前列。
2011-03-30
-
PLTT:Vishay推出更大工作溫度范圍的精密薄膜電阻應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT。與傳統(tǒng)薄膜電阻相比，PLTT電阻的工作溫度范圍幾乎擴(kuò)大了100℃，并具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR和低至±0.02%的容差。
2011-03-29
-
RCG e3:Vishay推出首款綠色厚膜矩形貼片電阻適用于通信設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出業(yè)界首款綠色、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3。
2011-03-25
-
DG9454：Vishay Siliconix 推出SPDT開關(guān)用于3D快門式眼鏡
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出針對3D快門式眼鏡進(jìn)行優(yōu)化的新款小尺寸三端SPDT(三端 2:1)開關(guān)--- DG9454。在2.7V～13.2V的V+和2.5V～+5.5V的VL工作電壓范圍內(nèi)，DG9454可確保與1.8V邏輯兼容，且功耗不到1μA，能夠大大延長電池壽命。器件采用超小型1.8mm x 2.6mm miniQFN-16封裝，能夠?yàn)榻K端用戶提供更小、更輕的3D護(hù)目鏡。
2011-03-24
-
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小Lug安裝空間的NTC熱敏電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有65mm2/ 0.1 in2的業(yè)內(nèi)最小Lug安裝空間的新系列Mini Lug負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻--- NTCALUG03。新器件的最短響應(yīng)時(shí)間小于4秒，能夠在-40℃～+125℃溫度范圍內(nèi)快速、精確地測量出溫度。
2011-03-23
-
Vishay大幅擴(kuò)充TMBS?整流器產(chǎn)品線
采用功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封裝的器件具有10A～60A的寬電流等級范圍，在5A電流下的典型VF低至0.28V
2011-03-22
-
Vishay推出T86系列固鉭貼片電容器用于航空和軍事
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Hi-Rel COTS系列固鉭貼片電容器。這些電容器提供威布爾分級、符合per MIL PRF 55365標(biāo)準(zhǔn)的浪涌電流測試選項(xiàng)、低ESR選項(xiàng)，并且內(nèi)置熔絲，從而在關(guān)鍵應(yīng)用中達(dá)到高可靠性和提供短路保護(hù)。
2011-03-21
-
Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于手持電子設(shè)備
SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形；SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件
2011-03-16
-
SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該數(shù)值是衡量DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。
2011-03-10
-
PLT系列：Vishay推出增強(qiáng)型精密低TCR薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，這些器件具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR。
2011-03-09
- 突破顯示局限！艾邁斯歐司朗光譜傳感技術(shù)讓屏幕自動(dòng)適應(yīng)環(huán)境
- 超越分辨率！解鎖移動(dòng)測繪相機(jī)系統(tǒng)的關(guān)鍵密碼
- 下一代智能耳機(jī)：壓縮技術(shù)驅(qū)動(dòng)AI功能融合創(chuàng)新
- 電力系統(tǒng)安全守護(hù)者：消弧線圈技術(shù)深度剖析與應(yīng)用指南
- 安森美破解具身智能落地難題，全鏈路方案助推機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化
- Spectrum推出多通道GHz數(shù)字化儀，最高支持12通道
- 安森美破解具身智能落地難題，全鏈路方案助推機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化
- AMD 推出 EPYC? 嵌入式 4005 處理器，助力低時(shí)延邊緣應(yīng)用
- 機(jī)電執(zhí)行器需要智能集成驅(qū)動(dòng)器解決方案以增強(qiáng)邊緣智能
- 廣東國際水處理技術(shù)與設(shè)備展覽會邀請函
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
