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P13L：Vishay發(fā)布?jí)勖L達(dá)2百萬次、適用于極端環(huán)境的新款面板式電位計(jì)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計(jì)---Sfernice P13L，這種電位計(jì)的壽命長達(dá)2百萬次，全I(xiàn)P67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級(jí)N溝道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級(jí)N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級(jí)器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能。
2011-11-02
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VLMx233..系列：Vishay推出超小SMD封裝的功率型Mini LED用于汽車
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的功率型Mini LED---VLMx233..系列。該系列器件具有大紅、紅色、琥珀色、淺桔色和黃色等幾種顏色，采用最先進(jìn)的AllnGaP技術(shù)，使光輸出增加了3倍，并通過針對汽車應(yīng)用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
2011-10-28
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Vishay推出CNY64ST和CNY65ST高壓隔離光耦
Vishay 宣布，推出業(yè)界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產(chǎn)品通過了國際安全監(jiān)管機(jī)構(gòu)VDE的認(rèn)證，具有長爬電距離和高隔離測試電壓，可保護(hù)在類似太陽能發(fā)電和風(fēng)電機(jī)組的電網(wǎng)連接等高壓環(huán)境中的工人和設(shè)備?，F(xiàn)在，希望在產(chǎn)品中全面使用表面貼裝元器件以實(shí)現(xiàn)靈活生產(chǎn)的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST，這兩款器件填補(bǔ)了現(xiàn)有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上的空白。
2011-10-26
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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
2011-10-21
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DG92xx系列：Vishay推出新款CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn)，可用于高速、高精度開關(guān)應(yīng)用。
2011-10-18
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Vishay Siliconix發(fā)布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開關(guān)
Vishay Siliconix發(fā)布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開關(guān)賓夕法尼亞、MALVERN — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款新型采用節(jié)省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開關(guān)--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具有低功率損耗和低開關(guān)噪聲的性能，有利于改善信號(hào)完整性和提高系統(tǒng)精度
2011-10-17
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E系列：Vishay推出超低最大導(dǎo)通電阻600V和650V n溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。
2011-10-14
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
2011-10-11
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IWAS-4832FF-50：Vishay發(fā)布高磁導(dǎo)屏蔽的接收線圈用于無線充電
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款商用基于鐵粉材料、符合WPC (無線電源聯(lián)盟)規(guī)范的無線充電接收線圈--- IWAS-4832FF-50，適用于有或沒有取向磁鐵的情況。新的IWAS-4832FF-50采用非常耐用的結(jié)構(gòu)和高磁導(dǎo)屏蔽，在對小于5W的便攜式電子產(chǎn)品進(jìn)行無線充電時(shí)的效率大于70%。
2011-10-06
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element14宣布擴(kuò)大Vishay半導(dǎo)體和無源元件在亞太區(qū)的產(chǎn)品庫存
電子元件分銷商e絡(luò)盟母公司element14近日宣布擴(kuò)大Vishay Intertechnology公司半導(dǎo)體和無源元件在亞太區(qū)的產(chǎn)品庫存。Vishay公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體與無源解決方案的專業(yè)廠商。element14為Vishay公司的分立式半導(dǎo)體和無源元件實(shí)現(xiàn)亞太地區(qū)大部分城市翌日到貨。
2011-09-30
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VJ汽車系列：Vishay 推出彎曲應(yīng)力更高的多層陶瓷片式電容器用于傳感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為減少由板彎曲開裂引發(fā)的失效，推出新的VJ汽車系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)，可選的聚合物端接能夠承受更高的彎曲應(yīng)力。器件采用C0G(NP0)和X5R/X7R/X8R電介質(zhì)，每種器件都有很多外形尺寸、電壓等級(jí)和容值可供選擇。
2011-09-30
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