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充電器 IC 中的動(dòng)態(tài)電源路徑管理
本文討論動(dòng)態(tài)電源路徑管理 (DPPM)，這是當(dāng)今常用的電源管理方案。 DPPM 控制環(huán)路根據(jù)輸入源電流的容量和負(fù)載電流的水平動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)充電電流，以獲得給定源和系統(tǒng)負(fù)載的短充電時(shí)間。借助 DPPM，即使使用深度放電的電池，一旦應(yīng)用輸入源，系統(tǒng)也可以立即獲得電源。還討論了系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)方法。
2025-01-03
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貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)深入探討惡劣環(huán)境中的連接應(yīng)用
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Bel Group旗下的Cinch Connectivity Solutions合作推出全新電子書(shū)《Understanding Harsh Environments for Electronic Design》（了解惡劣環(huán)境中的電子設(shè)計(jì)）。Cinch是高品質(zhì)互連產(chǎn)品和定制解決方案的知名供應(yīng)商，其產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于滿足工業(yè)、航空航天、國(guó)防、5G和IoT等市場(chǎng)對(duì)惡劣環(huán)境應(yīng)用的需求。
2025-01-02
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機(jī)電繼電器的特性及其在信號(hào)切換中的選型和應(yīng)用
本文介紹了機(jī)電繼電器(EMR)在信號(hào)切換中的應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)了其出色的導(dǎo)通和關(guān)斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來(lái)的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產(chǎn)品為例，介紹了如何選擇和應(yīng)用 EMR，包括繼電器類(lèi)型、區(qū)別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-31
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過(guò)程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計(jì)電橋，都需要的偏置電流。通過(guò)添加單個(gè)電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號(hào)源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測(cè)量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過(guò)常用電壓基準(zhǔn) IC 精度的高精度電阻，但基準(zhǔn)電壓源的誤差決定了該電流源的精度。盡管制造商限度地降低了電壓基準(zhǔn)的溫度敏感性和輸出電壓誤差，但對(duì)電源變化的敏感性可能會(huì)影響其精度，特別是在必須在較寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的過(guò)程控制應(yīng)用中。
2024-12-31
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消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC
典型的有刷直流電機(jī)是一種非常方便但噪音很大的設(shè)備。電刷實(shí)現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)，也稱(chēng)為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。但與這些電刷相關(guān)的突然連接和斷開(kāi)會(huì)導(dǎo)致瞬態(tài)干擾，從而影響連接到電機(jī)的電路（通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)傳導(dǎo)路徑）以及附近的組件（通過(guò) EMI）。
2024-12-29
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
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2025存儲(chǔ)前瞻：用存儲(chǔ)加速AI，高性能SSD普適化
縱觀2024年，存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來(lái)了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國(guó)際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時(shí)下的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來(lái)存儲(chǔ)鋪墊全新的技術(shù)可行性。
2024-12-27
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NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實(shí)例上加速下一代數(shù)據(jù)分析
數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技（AWS）最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實(shí)例實(shí)現(xiàn)集成，該實(shí)例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過(guò)NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù)，為云原生數(shù)據(jù)分析工作負(fù)載帶來(lái)了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場(chǎng)經(jīng)理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國(guó)臺(tái)灣銷(xiāo)售與市場(chǎng)經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為東盟）市場(chǎng)經(jīng)理！這一重要晉升不僅是對(duì) Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認(rèn)可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場(chǎng)的重要一步。
2024-12-26
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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貿(mào)澤電子持續(xù)擴(kuò)充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容
專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)擴(kuò)充其來(lái)自業(yè)界知名制造商和解決方案供應(yīng)商的工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容，幫助客戶(hù)奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎(chǔ)。
2024-12-25
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第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車(chē)輛的變流器中，是一家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
- OLED顯示器季度榜：華碩登頂，微星躍升，三星承壓
- 2nm量產(chǎn)+先進(jìn)封裝，臺(tái)積電構(gòu)筑AI算力時(shí)代的“絕對(duì)護(hù)城河”
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