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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒(méi)有像移動(dòng)手機(jī)連接器之類的終端設(shè)備，零瓦充電器就會(huì)停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)是對(duì)現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補(bǔ)充。
2012-02-22
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Vishay 擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
2012-02-22
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4G競(jìng)逐大戲已經(jīng)開(kāi)場(chǎng) 推廣標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)鍵
從3G到4G，從追隨者變?yōu)橛螒蛞?guī)則制定者，中國(guó)正一步步建立自己的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)體系。由中國(guó)主導(dǎo)的TD-LTE在1月18日正式成為4G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，這意味著下一代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的全球征戰(zhàn)正式開(kāi)場(chǎng)。但制定標(biāo)準(zhǔn)只是開(kāi)始，推廣標(biāo)準(zhǔn)才是關(guān)鍵。只有以標(biāo)準(zhǔn)為支點(diǎn)，占據(jù)全球競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)，從而撬動(dòng)整個(gè)國(guó)家產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)型升級(jí)，才是中國(guó)發(fā)展TD-LTE的意義所在。
2012-02-22
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、快開(kāi)關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
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Digi-Key與Ramtron 簽署全球經(jīng)銷協(xié)議
Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經(jīng)銷商，被設(shè)計(jì)師們譽(yù)為業(yè)內(nèi)最廣泛的電子元件庫(kù)，提供立即發(fā)貨服務(wù)，日前宣布已經(jīng)與 Ramtron International Corporation簽署全球經(jīng)銷協(xié)議。
2012-02-20
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2011全球LTE終端出貨800萬(wàn)部 營(yíng)收25億美元
根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，2012年全球?qū)?huì)有超過(guò)100張LTE商用網(wǎng)絡(luò)投入運(yùn)營(yíng)。美國(guó)將成為重要的增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。同時(shí)，頻譜問(wèn)題將繼續(xù)影響LTE發(fā)展。
2012-02-20
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IR3551：IR擴(kuò)充PowIRstage系列以提升擴(kuò)展性與性能
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IR3551以擴(kuò)充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應(yīng)用。
2012-02-17
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飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-16
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護(hù)器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
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FM3系列：富士通半導(dǎo)體擴(kuò)充32位微控制器產(chǎn)品陣容
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司近日宣布推出第四波基于ARM? CortexTM-M3處理器內(nèi)核的32位RISC微控制器的FM3系列新產(chǎn)品。此次，富士通半導(dǎo)體共推出210款新產(chǎn)品，即日起提供樣片。富士通半導(dǎo)體未來(lái)還將繼續(xù)擴(kuò)充FM3系列產(chǎn)品線，并計(jì)劃于2012年底達(dá)到500款。
2012-02-15
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MAX14578E/MAX14578AE：Maxim推出USB電池充電檢測(cè)器
Maxim Integrated Products, Inc 于近日推出業(yè)內(nèi)尺寸最小、符合USB電池充電規(guī)范的USB電池充電檢測(cè)器MAX14578E/MAX14578AE。除了可以檢測(cè)Apple和Sony專有充電器適配器外，該系列器件還可以檢測(cè)USB標(biāo)準(zhǔn)下行端口(SDP)、USB充電下行端口(CDP)或?qū)Ｓ贸潆娖鞫丝?DCP)。一旦檢測(cè)到充電端口，MAX14578E/MAX14578AE將控制外部鋰離子(Li+)電池充電控制器，以優(yōu)化充電時(shí)間和充電效率。
2012-02-15
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CHiL：IR推出多功能系列數(shù)字脈沖寬度調(diào)制控制器
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)，推出多功能系列CHiL數(shù)字脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 控制器，大幅減少占位面積，并能提升多種中高端且性能極高的服務(wù)器、臺(tái)式電腦及運(yùn)算應(yīng)用的效率。IR這六款新器件符合Intel VR12和VR12.5，以及AMD SVI1和SVI2的標(biāo)準(zhǔn)，并支持1、2回路下的1至8相位的多相位設(shè)計(jì)。
2012-02-13
- DigiKey拓展創(chuàng)新版圖，新產(chǎn)品線引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)潮
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