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大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——損耗
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于A(yíng)C/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開(kāi)關(guān)，SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類(lèi)雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來(lái)自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-12-09
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿(mǎn)著誤解和流言。
2021-11-29
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IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺(tái)，它與IGBT4的性能對(duì)比一直是工程師關(guān)心的問(wèn)題。本文通過(guò)FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng)中的測(cè)試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤(pán)負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。
2021-11-26
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類(lèi)以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過(guò)，隨著新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級(jí)、更高開(kāi)關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
2021-11-10
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無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)設(shè)計(jì)：新起點(diǎn)
無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)設(shè)計(jì)很復(fù)雜。在大量的MOSFET、IGBT和門(mén)極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合中開(kāi)始選擇電子器件(舊的起點(diǎn)) 是茫然無(wú)助的。
2021-10-22
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IGBT換流回路中雜散電感的測(cè)量
換流回路中的雜散電感會(huì)引起波形震蕩，EMI或者電壓過(guò)沖等問(wèn)題。因此在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測(cè)量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)中雜散電感的定義方法。
2021-10-14
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來(lái)，為功率變換應(yīng)用帶來(lái)了一股令人激動(dòng)的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級(jí)結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進(jìn)，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開(kāi)關(guān)機(jī)理等方面的進(jìn)步，使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數(shù)解析之開(kāi)關(guān)特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于A(yíng)C/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開(kāi)關(guān)、SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類(lèi)雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！
MOSFET、IGBT是開(kāi)關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試，就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線(xiàn)仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對(duì)IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)以?xún)?nèi)，還要對(duì)器件及系統(tǒng)的熱特性進(jìn)行精確設(shè)計(jì)，才能既保證器件長(zhǎng)期可靠運(yùn)行，又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn)注入核心部件
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