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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計電橋，都需要的偏置電流。通過添加單個電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準 IC 精度的高精度電阻，但基準電壓源的誤差決定了該電流源的精度。盡管制造商限度地降低了電壓基準的溫度敏感性和輸出電壓誤差，但對電源變化的敏感性可能會影響其精度，特別是在必須在較寬電源電壓范圍內(nèi)運行的過程控制應(yīng)用中。
2024-12-31
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消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機驅(qū)動器 IC
典型的有刷直流電機是一種非常方便但噪音很大的設(shè)備。電刷實現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)，也稱為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機轉(zhuǎn)動。但與這些電刷相關(guān)的突然連接和斷開會導(dǎo)致瞬態(tài)干擾，從而影響連接到電機的電路（通過標(biāo)準傳導(dǎo)路徑）以及附近的組件（通過 EMI）。
2024-12-29
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
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2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化
縱觀2024年，存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計算、云端應(yīng)用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級UFS 4.0推動行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來存儲鋪墊全新的技術(shù)可行性。
2024-12-27
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NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實例上加速下一代數(shù)據(jù)分析
數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技（AWS）最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實例實現(xiàn)集成，該實例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù)，為云原生數(shù)據(jù)分析工作負載帶來了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場經(jīng)理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國臺灣銷售與市場經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡稱為東盟）市場經(jīng)理！這一重要晉升不僅是對 Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。
2024-12-26
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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貿(mào)澤電子持續(xù)擴充工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容
專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)擴充其來自業(yè)界知名制造商和解決方案供應(yīng)商的工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容，幫助客戶奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎(chǔ)。
2024-12-25
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第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
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芝識課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項】—深入電子設(shè)計，需要這份指南（一）
當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。從本期芝識課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細的設(shè)計指南，幫助大家更好地避免潛在的設(shè)計陷阱和故障。
2024-12-13
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第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
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如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護二極管就足夠了。
2024-12-12
- 即插即用語音交互解決方案：ReSpeaker XVF3800系列開發(fā)板全面上市
- 突破多電平電路設(shè)計瓶頸：ROHM新型SiC模塊實現(xiàn)2.3倍功率密度提升
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