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意法半導(dǎo)體、Soitec、CMP聯(lián)合提供28納米FD-SOI CMOS制程

意法半導(dǎo)體、 Soitec與CMP攜手為大學(xué)院校、研究實驗室和工業(yè)企業(yè)設(shè)計下一代系統(tǒng)級芯片并提供工程流片服務(wù)，可通過CMP的硅中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的CMOS 28納米全耗盡型絕緣層上硅（FD-SOI）制程進(jìn)行工程流片。

2012-10-24
TE推出新型0.4mm間距0.98mm高度的板對板連接器

TE最近發(fā)布了一款新型0.4毫米細(xì)間距、高度為0.98毫米的板對板連接器，可以提供更大的取放空間。該款產(chǎn)品可優(yōu)化日益小型化的電子產(chǎn)品的連接，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本，提高裝配效率，有利優(yōu)化生產(chǎn)。

2012-10-24
封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊

村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機(jī)的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù)，使用樹脂基板而非陶瓷基板實現(xiàn)了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。

2012-10-24
可支持15種頻帶的FBAR濾波器

安華高此前的FBAR濾波器支持5種頻帶，但世界各地的LTE服務(wù)使用了多種頻帶，因此此次擴(kuò)大了支持的頻帶數(shù)量。此次增加了對700MHz頻帶、900MHz頻帶及2.6GHz頻帶等15種頻帶的支持。安華高表示，這一舉措使該公司的FBAR濾波器得到了大量智能手機(jī)的采用。

2012-10-24
TE推出單模光纖現(xiàn)場快速安裝連接器F-Light

在日益更新的FTTx的網(wǎng)絡(luò)中，設(shè)備的開通、配置和升級復(fù)雜;設(shè)備種類和網(wǎng)元數(shù)量增多，后續(xù)管理維護(hù)復(fù)雜。從中心機(jī)房到ONU客戶終端，運(yùn)營商需要更靈活、更高效率、更方便的接入。TE的F-Light連接器能為運(yùn)營商提供高效的安裝和使用靈活性。

2012-10-23
適用于電池或標(biāo)準(zhǔn) 3.3V 和 5V 電源的DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LTC3122

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具集成輸出斷接功能的 3MHz 電流模式、同步升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LTC3122。其內(nèi)部 2.5A 開關(guān)在啟動時的 1.8V (運(yùn)行時為 0.5V) 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)提供高達(dá) 15V 的輸出電壓，從而使該器件非常適用于電池或標(biāo)準(zhǔn) 3.3V 和 5V 電源。

2012-10-23
可支持300MHz到2.8GHz的頻段的LTE收發(fā)器

隨著無線寬頻的需求日漸擴(kuò)大，全球電信服務(wù)業(yè)者也加速將第四代的LTE高速無線通訊標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)入手機(jī)與數(shù)據(jù)卡終端設(shè)備。Aviacomm發(fā)表最新LTE智能型射頻收發(fā)器，可支持300MHz到2.8GHz的頻段，不僅在功能上取代多芯片的集成方案，在系統(tǒng)設(shè)計上，也簡化工程開發(fā)時間。

2012-10-23
泰科電子新出九款低電阻電路保護(hù)元件

泰科電子（TE Connectivity）旗下的業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部宣佈推出九款全新且是為空間有限的行動應(yīng)用所設(shè)計的低電阻（Low rho）表面黏著器件（surface-mount device， SMD）系列電路保護(hù)元件。

2012-10-23
TE推出用于便攜消費類電子產(chǎn)品的電路保護(hù)器件

TE推出用于平板電腦和其它便攜消費類電子產(chǎn)品的PolyZen CE (消費類電子)系列電路保護(hù)器件,適用于空間狹小的薄型緊湊型環(huán)境，保護(hù)齊納二極管和下游電子組件避免損壞。

2012-10-23
TE應(yīng)對嚴(yán)酷環(huán)境而推出的“塑料盒”封裝器件

TE全新的LVB125器件，采用了一種獨特的“塑料盒”封裝，可為在裝配方式中使用了化合物灌封或密封化合物的產(chǎn)品提供可復(fù)位電路保護(hù)，可包括嚴(yán)酷環(huán)境應(yīng)用中的電源、變壓器、工業(yè)控制器和發(fā)動機(jī)。

2012-10-23
TE發(fā)布多種SESD器件

TE發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電(SESD)保護(hù)器件，可提供市場上最低的電容、最高的ESD保護(hù)和最小尺寸封裝，可幫助免受由靜電放電、浪涌和電纜放電所引起的損壞。

2012-10-23
TI推出降低散熱達(dá)30℃的新降壓升壓轉(zhuǎn)換器

最新 4G 手機(jī)具有更高的數(shù)據(jù)上載需求，要求對各種應(yīng)用程序?qū)崿F(xiàn)“實時”開啟或關(guān)閉，這需要更高的射頻功率放大器輸出水平，使LTE即便在較低的電池電壓下也能工作。TI推出新降壓升壓轉(zhuǎn)換器，將流耗銳降50%并降低放大器散熱達(dá)30攝氏度。

2012-10-23

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