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全民智駕熱潮下，ADAS系統(tǒng)對電源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 電源芯片領(lǐng)域早有布局，并于去年發(fā)布了單芯片車載攝像頭 PMIC 系列，通過安全高效的電源管理提升 ADAS 系統(tǒng)攝像頭的穩(wěn)定性與可靠性。其中，SC6201Q 已于去年實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，符合 ASIL-B 功能安全標(biāo)準(zhǔn)要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入規(guī)模量產(chǎn)階段，持續(xù)為 ADAS 應(yīng)用保駕護航。
2025-02-26
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貿(mào)澤電子與Amphenol聯(lián)合推出全新電子書探索連接技術(shù)在電動汽車和電動垂直起降飛行器中的作用
注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Amphenol合作推出全新電子書《9 Experts Discuss the Role of Connectivity in e-Mobility》（9位專家探討連接技術(shù)在電動出行中的作用），深入探討電動汽車中的連接和傳感器技術(shù)。書中，來自交通運輸行業(yè)和Amphenol的專家針對支持當(dāng)今純電動/混合動力汽車 (EV/HEV) 以及電動垂直起降 (eVTOL) 飛行器獨特需求的技術(shù)與策略提供了深度見解。
2025-02-22
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
2025-02-21
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意法半導(dǎo)體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來更高性能的云光互連技術(shù)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計算需求的指數(shù)級增長，計算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體新推出的硅光技術(shù)和新一代 BiCMOS 技術(shù)可以幫助云計算服務(wù)商和光模塊廠商克服這些挑戰(zhàn)。計劃從 2025 年下半年開始，800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產(chǎn)量。
2025-02-21
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。
2025-02-20
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可再生電力：道達爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國供電1.5億千瓦時
道達爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實體購電協(xié)議，為意法半導(dǎo)體位于法國的工廠供應(yīng)可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購電量為 1.5 億千瓦時 (TWh)。
2025-02-18
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功率半導(dǎo)體驅(qū)動電源設(shè)計（一）綜述
工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動電源功率不大，設(shè)計看似簡單，但要設(shè)計出簡單低成本的電路并不容易。這就需要一個集成度高，外圍器件少，功率密度高的DCDC輔助電源方案，減小線路板面積，這對避免受干擾，提高可靠性也有幫助。這是開發(fā)EiceDRIVER? Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
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設(shè)計高壓SIC的電池斷開開關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開連接開關(guān)時，需要考慮一些基本的設(shè)計決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動保護限制的重要性。
2025-02-16
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如何測量PMIC的PSRR
PSRR是一個重要參數(shù)，可評估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗波動的情況下，實現(xiàn)高PSRR至關(guān)重要，從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說明了測量PSRR的一般方法。
2025-02-16
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
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意法半導(dǎo)體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開發(fā)了一套先進的汽車功能安全整體解決方案，以加快安全關(guān)鍵的汽車系統(tǒng)開發(fā)，提高軟件定義汽車的安全性和經(jīng)濟性。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應(yīng)對功率設(shè)計挑戰(zhàn)
電源管理集成電路（PMIC）設(shè)計涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點的演進，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導(dǎo)通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數(shù)提取的準(zhǔn)確性造成了影響；封裝對芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對功率設(shè)計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導(dǎo)通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅(qū)動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關(guān)切換過程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設(shè)計領(lǐng)域的核心難題。
2025-02-13
- OLED顯示器季度榜：華碩登頂，微星躍升，三星承壓
- 2nm量產(chǎn)+先進封裝，臺積電構(gòu)筑AI算力時代的“絕對護城河”
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