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如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管
ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過(guò)去幾年中沒(méi)有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過(guò)去，IC 設(shè)計(jì)對(duì) ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿(mǎn)足 IEC61000-4-2 4 級(jí)要求的任何保護(hù)二極管就足夠了。
2024-12-12
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意法半導(dǎo)體和ENGIE在馬來(lái)西亞簽訂可再生能源發(fā)電供電長(zhǎng)期協(xié)議
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽(yáng)能發(fā)電公司簽訂為期21年的購(gòu)電協(xié)議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務(wù)公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來(lái)西亞迅速崛起的太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
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安森美斥資1.15億美元收購(gòu)碳化硅JFET技術(shù)，強(qiáng)化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。
2024-12-10
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創(chuàng)新解決方案的全球授權(quán)代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運(yùn)動(dòng)、繼電器、傳感器和開(kāi)關(guān)解決方案制造商。貿(mào)澤有9500多種Same Sky創(chuàng)新產(chǎn)品開(kāi)放訂購(gòu)，其中5500多種有現(xiàn)貨庫(kù)存。
2024-12-10
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽(yáng)能和儲(chǔ)能解決方案
專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長(zhǎng)的太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)電源控制系統(tǒng)
雷諾集團(tuán)旗下純智能電動(dòng)汽車(chē)制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動(dòng)，雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體簽署了一份從 2026 年開(kāi)始為安培長(zhǎng)期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體為安培超高效電動(dòng)汽車(chē)逆變器開(kāi)發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計(jì)劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導(dǎo)體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強(qiáng)的性能和競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)充分發(fā)揮安培在電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)方面的特長(zhǎng)和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)功率元器件研制領(lǐng)域的獨(dú)到之處。
2024-12-05
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面對(duì)電動(dòng)汽車(chē)和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-12-04
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書(shū)，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過(guò)與Si類(lèi)似的熱氧化過(guò)程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。
2024-12-02
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開(kāi)拓創(chuàng)新，引領(lǐng)醫(yī)療植入物與醫(yī)療保健解決方案的發(fā)展潮流
憑借超過(guò)40年的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產(chǎn)的組件能夠滿(mǎn)足苛刻的醫(yī)療應(yīng)用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊（RTC），不僅具有超低時(shí)間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 貿(mào)澤電子自動(dòng)化資源中心上線(xiàn)：工程師必備技術(shù)寶庫(kù)
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