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IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用

在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。

2008-10-16

電源高位跟蹤系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

本系統(tǒng)通過(guò)采用可控硅延時(shí)開(kāi)關(guān)的方式，解決了電源功率放大管的輸入極和輸出極電壓差無(wú)級(jí)跟蹤控制的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了輸入極電壓對(duì)輸出極電壓的非開(kāi)關(guān)電源方式的全程無(wú)級(jí)高位跟蹤，從而使電源效率得到很大提高。

2008-09-29

VO3526：Vishay 新型1A輸出電流整合功率光敏可控硅

Vishay推出一款可輸出 1A 電流來(lái)驅(qū)動(dòng)電阻及電感負(fù)載的整合功率光敏可控硅，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。由于消除了對(duì)外部功率 TRIAC 的需求，該器件可降低設(shè)計(jì)成本并節(jié)省板面空間。

2008-08-27

BTAxxx系列：安森美半導(dǎo)體隔離型三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)元件

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)元件(TRIAC)產(chǎn)品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用額定功率，具有35和50毫安(mA)的門(mén)觸發(fā)電流(Igt)。這BTAxxx系列器件非常適合于講究隔離電壓、且安全是首要考慮的工業(yè)和控制應(yīng)用。

2008-08-18

可控硅知識(shí)

1970-01-01

可控硅整流器

1970-01-01

雙向可控硅的工作原理 雙向可控硅結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用

1970-01-01

開(kāi)關(guān)電源電路圖 開(kāi)關(guān)電源電路圖解析

所謂開(kāi)關(guān)電源，故名思議，就是這里有一扇門(mén)，一開(kāi)門(mén)電源就通過(guò)，一關(guān)門(mén)電源就停止通過(guò)，那么什么是門(mén)呢，開(kāi)關(guān)電源里有的采用可控硅，有的采用開(kāi)關(guān)管，這兩個(gè)元器件性能差不多，都是靠基極、（開(kāi)關(guān)管）控制極（可控硅）上加上脈沖信號(hào)來(lái)完成導(dǎo)通和截止的，脈沖信號(hào)正半周到來(lái)，控制極上電壓升高...

1970-01-01