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如何通過合適的柵極驅動技術達到最大化SiC的性能
電動汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術優(yōu)勢，驅動電動汽車的電力電子設備正在迅速發(fā)展。諸如碳化硅（SiC）之類的寬禁帶FET技術有望顯著提高效率，減輕系統(tǒng)重量并減小電池體積。在汽車設計中，SiC兌現(xiàn)了這些承諾，并推動了下一代電動汽車的創(chuàng)新。
2021-02-18
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IIC為何需要用開漏輸出和上拉電阻？
最近在調ICM20602模塊(一個六軸陀螺儀和加速度計), 使用IIC通信協(xié)議, 這個過程中遇到一個困擾我很長時間的問題。IIC協(xié)議正確, 但是一直讀取失敗.最后發(fā)現(xiàn)因為沒配置GPIO為開漏輸出。
2021-02-16
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升壓變流器的幾點調試經驗
DC/DC 變流器IC可能在整個產品系統(tǒng)的并不起眼，但它們對產品的穩(wěn)定可靠工作至關重要。盡管TI 提供詳細的規(guī)格書和應用文檔幫助客戶在系統(tǒng)上正確地實現(xiàn)變流器IC的功能，在實際應用中依然因為種種原因導致IC不正常工作問題，例如啟動異常，輸出電壓不穩(wěn)定，紋波過大甚至IC損壞等等。大部分時候，引起IC異常工作的原因并不復雜，簡單的調試可以快速地定位并解決問題。這篇文章介紹幾點針對升壓變流器的調試經驗。
2021-02-16
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新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 CDM測試標準概覽
元件充電模式(CDM) ESD被認為是代表ESD充電和快速放電的首要實際ESD模型，能夠恰如其分地表示當今集成電路(IC)制造和裝配中使用的自動處理設備所發(fā)生的情況。到目前為止，在制造環(huán)境下的器件處理過程中，IC的ESD損害的最大原因是來自充電器件事件，這一點已廣為人知。1
2021-02-09
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為系統(tǒng)安全選擇電壓檢測器、監(jiān)控器和復位IC：第1部分
電信、工業(yè)和航空電子應用中的電源電壓可能由于許多原因而變化，例如線路和負載瞬變；停電；或低電量。電壓檢測器和監(jiān)控器/復位集成電路（IC）提供了與這些問題相關的電源電壓偏差的預指示，以幫助保護系統(tǒng)。
2021-02-09
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為系統(tǒng)安全選擇電壓檢測器、監(jiān)控器和復位IC：第2部分
在本系列的第一部分中，我定義了電壓檢測器和監(jiān)控器/復位IC，并解釋了不同的輸出類型及一些基本設備。由于設計變得更加復雜，可能需要更高級的設備來成功監(jiān)視電壓。在本期中，我將重點介紹電壓檢測器和監(jiān)控器/復位IC中的各種功能，以幫助設計人員選擇正確的電路。
2021-02-09
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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)需要高集成度和小尺寸功率轉換器件
在功率譜的中低端存在一些不太大的功率轉換要求，這在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設備之類的應用中很常見。這些應用需要使用能夠處理適度電流水平的功率轉換IC。電流通常在數(shù)百毫安范圍，但如果板載功率放大器為了傳輸數(shù)據(jù)或視頻而存在峰值功率需求，那么電流量可能更高。因此，隨著支持眾多物聯(lián)網(wǎng)器件的無線傳感器的激增，業(yè)界對專門用于空間和散熱受限器件的小型、緊湊、高效功率轉換器的需求在不斷增加。
2021-02-08
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如何準確地測量芯片的電源噪聲
隨著5G、車聯(lián)網(wǎng)等技術的飛速發(fā)展，信號的傳輸速度越來越快，集成電路芯片的供電電壓隨之越來越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V，而現(xiàn)在高速IC的供電電壓已經到了2.5V、1.8V或1.5V，有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小，電壓波動的容忍度也變得越苛刻。對于這類供電電壓較小的高速芯片的電壓測試用電源噪聲表示，測求要求從±5%到 ±-1.5%，乃至更低。
2021-02-05
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集成電路是如何被發(fā)明的？
也許上天有意要人類發(fā)明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時，兩組人在個不知曉對方發(fā)明工作的情況下，獨立設計出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
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開關IC控制器的去耦旁路設計
旁路和去耦是指防止有用能量從一個電路傳到另一個電路中，并改變噪聲能量的傳輸路徑，從而提高電源分配網(wǎng)絡的品質。它有三個基本概念：電源、地平面，元件和內層的電源連接。
2021-02-05
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接收器IC混合式混頻器、頻率合成器和IF放大器
無線基站曾經封裝在采用氣候控制技術的大型空間中，但現(xiàn)在卻可以裝在任意地方。隨著無線網(wǎng)絡服務提供商試圖實現(xiàn)全域信號覆蓋，基站組件提供商面臨壓力，需要在更小的封裝中提供更多的功能。
2021-02-03
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采用具有驅動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認為，SiCMOSFET可以實現(xiàn)非?？斓拈_關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。
2021-02-03
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