-
第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
-
IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。
2025-01-24
-
第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
-
IGBT的并聯(lián)知識(shí)點(diǎn)梳理：靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要了解這些，才能設(shè)計(jì)出可靠的系統(tǒng)。
2025-01-16
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
-
IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對(duì)化石燃料能源的依賴(lài)，電氣化方案也因此廣受青睞。這對(duì)于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢(shì)具有重要意義。電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場(chǎng)，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車(chē)輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動(dòng)。
2025-01-08
-
柵極驅(qū)動(dòng)器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(chē)（EV）等。然而，市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
-
安森美榮獲2024年亞洲金選車(chē)用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)及年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(jiǎng)（EE Awards Asia)之車(chē)用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)，彰顯其在車(chē)用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)，基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來(lái)出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。
2024-12-06
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議
- 貿(mào)澤電子開(kāi)售Molex的航空航天解決方案
- 利用高精度窗口監(jiān)控器有效提高電源輸出性能
- 詳解控制變壓器操作和尺寸
- 【聚焦產(chǎn)業(yè)變革?共筑創(chuàng)新生態(tài)】IIC Shanghai 2025盛大啟幕
- Wi-Fi 7頻率控制核心密碼：三大關(guān)鍵器件深度解析
- 用于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器的 CLLLC 與 DAB 比較
- 貿(mào)澤電子開(kāi)售Molex的航空航天解決方案
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議
- 解碼宿遷專(zhuān)班護(hù)航金天國(guó)際全球大會(huì)背后的中國(guó)創(chuàng)新密碼
- 從元件到生態(tài)：DigiKey可持續(xù)創(chuàng)新視頻系列全紀(jì)錄
- 2025廣州國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展來(lái)襲：前沿技術(shù)、精彩論壇，不容錯(cuò)過(guò)！
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
