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RF/微波

1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實(shí)現(xiàn)研究

本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì)。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動(dòng)態(tài)范圍電路設(shè)計(jì)上具有很大的優(yōu)勢(shì),并且該放大器的技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了CDMA基站的接收前端對(duì)低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應(yīng)用前景。

2008-10-12

截點(diǎn) E-pHEMT 平衡結(jié)構(gòu) LNA 仿真

阻抗匹配

本文詳細(xì)討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點(diǎn)介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號(hào)的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術(shù)。

2008-10-12

傳輸線阻抗匹配訊號(hào) 特性阻抗

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。

2008-10-12

RF MOSFET 性能工藝

運(yùn)放式射頻放大器

本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。

2008-10-12

運(yùn)放射頻 CFB

法國(guó)Sofradir公司收購(gòu)美國(guó)紅外探測(cè)器公司Electrophysics

法國(guó)Sofradir公司宣布收購(gòu)美國(guó)Electrophysics公司。此項(xiàng)收購(gòu)有望加速Sofradir和它的子公司ULIS在北美市場(chǎng)的發(fā)展。Sofradir希望30天內(nèi)完成本次交易，交易價(jià)格尚未披露。

2008-10-08

收購(gòu) Sofradir Electrophysics 紅外

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