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計算開關(guān)MOSFET中的功率損耗

文件來源：PI
文件類型：pdf
更新時間：2011-07-20
文件大?。?58K

開關(guān)MOSFET功率損耗的計算并不像最初看起來那么簡單。許多因素都與之有關(guān)。溝道（或垂直）MOSFET與橫向MOSFET的損耗特性有何不同呢？在低功率到中等功率應(yīng)用中，導(dǎo)通和開關(guān)損耗的相對影響如何變化？每種MOSFET的結(jié)構(gòu)的獨特特性如何影響高效率設(shè)計的開發(fā)呢？本資料將介紹如何計算開關(guān)MOSFET中的功率損耗。

本文鏈接：http://azglds.com/power-dl/626

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