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電源管理

開關(guān)變壓器第十四講分布電容分析

當(dāng)輸入脈沖電壓的上升或下降率大于振蕩波形的上升或下降率的時候，振蕩回路就吸收能量，使輸入脈沖波形的前、后沿都變差；而當(dāng)輸入脈沖電壓的上升或下降率小于振蕩波形的上升或下降率的時候，振蕩回路就會釋放能量，使電路產(chǎn)生振蕩。如果振蕩回路的品質(zhì)因數(shù)比較高，電路就會產(chǎn)生寄生振蕩，并產(chǎn)生EMI...

2009-08-07

開關(guān)變壓器

MSE1Px：Vishay具有高達(dá)25kV的ESD小尺寸整流器

日前，Vishay宣布，推出ESD保護(hù)高達(dá)25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。

2009-08-06

整流器 MSE1Px Vishay ESD

振蕩器特點分析

振蕩器使用特點與制造工藝分析

2009-08-06

振蕩器石英音叉

振動馬達(dá)應(yīng)用驅(qū)動電路

振動馬達(dá)用于各種應(yīng)用中，包括手機、游戲操縱桿、手持游戲機、尋呼機、牙刷及剔須刀等。本文介紹振動馬達(dá)的結(jié)構(gòu)，工作狀態(tài)

2009-08-04

振動馬達(dá) 柱型馬達(dá) A1442BLDC A1442

開關(guān)變壓器第十三講開關(guān)變壓器漏感分析

任何變壓器都存在漏感，但開關(guān)變壓器的漏感對開關(guān)電源性能指標(biāo)的影響特別重要。由于開關(guān)變壓器漏感的存在，當(dāng)控制開關(guān)斷開的瞬間會產(chǎn)生反電動勢，容易把開關(guān)器件過壓擊穿；漏感還可以與電路中的分布電容以及變壓器線圈的分布電容組成振蕩回路，使電路產(chǎn)生振蕩并向外輻射電磁能量，造成電磁干擾。因...

2009-08-03

變壓器

Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。

2009-08-03

SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay

OLED驅(qū)動電源解決方案

本文將討論各種OLED技術(shù)和適當(dāng)?shù)钠珘弘娫垂?yīng)電路,而關(guān)于OLED技術(shù)和驅(qū)動方法的選擇,也會影響電源供應(yīng)電路的需求。工程師所面臨的挑戰(zhàn)為如何選擇最適當(dāng)?shù)碾娫垂?yīng)電路,以便支持電池供電型可攜式裝置,以及特定OLED顯示器的需求。

2009-08-03

OLED驅(qū)動被動矩陣 TPS65130 OLED顯示器

2009-2013我國年太陽能光伏市場預(yù)測

2008年，我國太陽能電池產(chǎn)量約占世界總產(chǎn)量的三分之一，連續(xù)兩年成為世界第一大太陽能電池生產(chǎn)國。然而，我國光伏產(chǎn)品長期依賴海外市場，已成為障礙我國光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的隱患，開啟國內(nèi)市場是發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)的必然選擇。

2009-08-01

光伏太陽能

SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET

日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。

2009-07-31

SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件

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