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電源管理

七招教你輕松改善電感線圈Q值

Q值是衡量電感器件的主要參數(shù)。是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。

2018-07-19

電感線圈 Q值分布電容

教你如何選擇開(kāi)關(guān)電源串模扼流圈、共模扼流圈

也許你知道開(kāi)關(guān)電源，也了解開(kāi)關(guān)電源串模扼流圈、共模扼流圈，但不一定知道如何選擇開(kāi)關(guān)電源中串模扼流圈、共模扼流圈？那么，本文就是教你如何去選擇的。

2018-07-18

開(kāi)關(guān)電源串模扼流圈共模扼流圈

堪稱工業(yè)中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)...

2018-07-18

IGBT 芯片開(kāi)關(guān)

如何在電壓控制電路中使用FET（第一部分）

LIS公司生產(chǎn)各種FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管），特別值得一提的是他們有各種匹配雙器件產(chǎn)品，這種匹配器件封裝有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。例如，如果您在設(shè)計(jì)一個(gè)雙聲道立體聲音頻產(chǎn)品，那么在同一個(gè)封裝中包含兩個(gè)或四個(gè)器件就可以使兩個(gè)音頻通道匹配更加緊密。

2018-07-17

技術(shù)實(shí)例模擬設(shè)計(jì) FET 壓控電阻

關(guān)于直接反電動(dòng)勢(shì)法的無(wú)刷直流電機(jī)準(zhǔn)確換相新方法

分析了上橋臂PWM 調(diào)制、下橋臂恒通調(diào)制方式時(shí)的端電壓波形,討論相應(yīng)的反電動(dòng)勢(shì)過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)方法。在PWM 調(diào)制信號(hào)開(kāi)通狀態(tài)結(jié)束時(shí)刻對(duì)端電壓進(jìn)行采樣,由軟件算法確定反電動(dòng)勢(shì)過(guò)零點(diǎn). 針對(duì)電機(jī)運(yùn)行時(shí)存在超前換相或滯后換相的情況,通過(guò)設(shè)置合理的延遲時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳換相。

2018-07-16

反電動(dòng)勢(shì)法無(wú)刷直流電機(jī) 電機(jī)控制

【防偏磁】半橋隔直電容計(jì)算方法！

工程師都知道實(shí)際的開(kāi)關(guān)電源半橋拓?fù)涠加幸粋€(gè)隔直電容，其實(shí)在原理拓?fù)渲惺菦](méi)有這個(gè)電容的。這個(gè)電容的存在一定是有它的道理的，該如何理解，又該如何計(jì)算它的容量？

2018-07-13

防偏磁半橋隔直電容計(jì)算方法

【兩公式搞定】實(shí)際帶你計(jì)算一個(gè)電流互感器！

電流互感器與一般的電壓變壓器的區(qū)別在什么地方呢?這個(gè)問(wèn)題即使是資深的磁性元件設(shè)計(jì)人員也很難回答?；镜膮^(qū)別在于：變壓器試圖把電壓從原邊變換到副邊，而電流互感器試圖把電流從原邊變換到副邊。電流互感器的電壓大小由負(fù)載決定。

2018-07-13

電流互感器開(kāi)關(guān)電源損耗

詳解MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?/p>

2018-07-13

MOSFET IGBT 開(kāi)關(guān)電源

簡(jiǎn)單電路讓數(shù)字電源控制器與模擬控制兼容

最近，超大規(guī)模集成 (VLSI) 技術(shù)的發(fā)展擴(kuò)寬了數(shù)字控制應(yīng)用范圍，尤其是在電源電子元件方面的應(yīng)用。數(shù)字控制IC具有多種優(yōu)勢(shì)，比如裸片尺寸更小、無(wú)源元件數(shù)量更少、成本更低。另外，數(shù)字控制可利用電源管理總線 (PMBus?) 來(lái)完成系統(tǒng)配置；高級(jí)控制算法能改善性能；可編程性則可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用優(yōu)化。

2018-07-11

數(shù)字電源電源控制器模擬控制

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