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電源管理

基于UCC25800-Q1開環(huán)LLC驅(qū)動器的隔離電源方案設(shè)計

隔離驅(qū)動被廣泛的應(yīng)用在工業(yè)產(chǎn)品中，其供電隔離電源的設(shè)計是隔離驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵一環(huán)。傳統(tǒng)的隔離驅(qū)動供電方案多數(shù)采用反激或推挽結(jié)構(gòu)，而與這兩種方案進(jìn)行對比，LLC諧振變換器有著自己獨有的優(yōu)勢，高功率密度，低噪聲，低成本。

2021-08-09

UCC25800-Q1 隔離電源設(shè)計

充電芯片BQ25601應(yīng)用中的若干問題

BQ25601是一款常用的充電芯片。本文針對其錯誤上報的機制進(jìn)行了說明。同時，本文針對該芯片實際應(yīng)用在可穿戴產(chǎn)品中碰到過的弱充問題進(jìn)行了問題分析和說明，并從系統(tǒng)層面給出了階梯式抬升充電電流的解決方案。

2021-08-09

充電芯片 BQ25601 應(yīng)用

如何設(shè)計模塊化 DC/DC 系統(tǒng)，第 1 部分：設(shè)計的 4 個階段

在設(shè)計模塊化 DC-DC 系統(tǒng)時，必須要考慮從電源到負(fù)載的整個供電系統(tǒng)，才能實現(xiàn)所需的功能和性能。本系列教程不僅將介紹模塊化 DC-DC 系統(tǒng)的設(shè)計流程，通過這些流程，來完成電源到負(fù)載的設(shè)計案例。

2021-08-09

設(shè)計模塊化 DC/DC

助你輕松并聯(lián)增加輸出功率，這款μModule穩(wěn)壓器你愛了沒？

LTM8055 是一款具 5V 至 36V 輸入范圍的降壓-升壓型 μModule?穩(wěn)壓器，其可容易地通過并聯(lián)以擴展負(fù)載電流能力。該器件的四開關(guān)降壓-升壓型拓?fù)渚哂懈咝?，同時允許輸入電壓低于、等于或高于輸出，并可在調(diào)節(jié)模式之間實現(xiàn)平滑轉(zhuǎn)換。

2021-08-08

并聯(lián) 輸出功率 μModule穩(wěn)壓器

有沒有一種簡單的辦法來創(chuàng)建適合傳感器偏置應(yīng)用的高壓電源？

提供高精度輸出的可調(diào)高壓電源很難構(gòu)建。時間、溫度和生產(chǎn)過程中的差異等帶來的漂移通常都會導(dǎo)致誤差。傳統(tǒng)上用于反饋的阻性網(wǎng)絡(luò)是常見誤差源。本文提出一種利用集成電路(IC)反饋路徑的新穎設(shè)計。此電路用于傳感器偏置應(yīng)用，與利用電阻網(wǎng)絡(luò)提供反饋的設(shè)計相比，精度更高，漂移更低，更加靈活，甚至...

2021-08-07

傳感器偏置應(yīng)用高壓電源

安森美：新品牌和可持續(xù)未來的承諾

2021年8月6日—安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，納斯達(dá)克股票代號：ON) 在美國時間8月5日公布公司的新商號“onsemi ”和煥然一新的品牌，作為公司發(fā)展的下一步，以確立自身成為智能電源和感知技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。安森美 (onsemi) 持續(xù)專注于汽車和工業(yè)終端市場，已加強其創(chuàng)新的戰(zhàn)略推動顛覆性創(chuàng)新，為...

2021-08-06

安森美感知技術(shù) 智能電源

變頻器軟啟動器控制使用以及電機各種啟動方式

電機軟啟動器一般以大功率雙向晶閘管構(gòu)成三相交流調(diào)壓電路，以微處理器及信號采集、保護(hù)環(huán)節(jié)構(gòu)成控制器，通過控制晶閘管的觸發(fā)角，調(diào)節(jié)晶閘管調(diào)壓電路的輸出電壓，實現(xiàn)電動機的無觸點降壓軟啟動、軟停車和空載、輕載的節(jié)能及保護(hù)功能。為此，通過對軟啟動方式與傳統(tǒng)的啟動方式進(jìn)行比較，來分析軟啟...

2021-08-06

變頻器軟啟動器啟動方式

驅(qū)動未來，如何對電機運行異常做分析與定位？

電機驅(qū)動系統(tǒng)是將電能轉(zhuǎn)換為機械能的動力心臟，小到風(fēng)扇、空調(diào)，大到船舶、飛機都離不開電機，如此重要的部件出現(xiàn)了異常該如何定位與分析呢？本文將帶您深入了解。

2021-08-06

電機運行異常分析定位

快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

眾所周知，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等。前一個十年，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在基站射頻、功放等通信領(lǐng)域嶄露頭角；2021年，隨著“十四五”規(guī)劃的提出，中國將加...

2021-08-06

快充第三代半導(dǎo)體新能源

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