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電源管理

USB供電的5.8 GHz RF LNA接收器，帶輸出功率保護(hù)功能

國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)分配了免許可的5.8 GHz工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)無線電頻段供全球使用。隨著無線技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)步，以及最低的法規(guī)合規(guī)要求，使此頻段在短距離無線通信系統(tǒng)中頗受歡迎。

2022-06-20

USB供電 RF LNA接收器

如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能

源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)...

2022-06-20

CMOS開關(guān) 固態(tài)繼電器

PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算

在通用變頻器或伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級(jí)來合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動(dòng)很小，因此其通常不會(huì)是IGBT PI...

2022-06-17

PIM模塊英飛凌變頻器

現(xiàn)代電機(jī)設(shè)計(jì)可改進(jìn)便攜式真空吸塵器

在 21 世紀(jì)家居中，已經(jīng)有無數(shù)示例充分證明，電機(jī)這種簡(jiǎn)單的日常設(shè)備通過現(xiàn)代設(shè)計(jì)成為了越來越多家用電器不可或缺的組成部分。電機(jī)廣泛應(yīng)用于冰箱、電腦、微波爐、風(fēng)扇、洗衣機(jī)和吸塵器等家用電器之中。同時(shí)，車庫(kù)開門器、商店真空吸塵器、園藝修剪器、無繩微耕機(jī)、電動(dòng)割草機(jī)、壓力清洗機(jī)和其他庭...

2022-06-17

電機(jī)設(shè)計(jì) 便攜式真空吸塵器

基于小華HC32F460的10萬RPM高速風(fēng)筒方案

電吹風(fēng)已是我們生活必備的小工具，高速風(fēng)筒以其高效速干、體積小質(zhì)量輕等優(yōu)勢(shì)讓使用者獲得更好的使用體驗(yàn)，本篇將帶大家了解高速風(fēng)筒的特點(diǎn)及兩款基于小華MCU的方案，歡迎來聊。

2022-06-16

小華HC32F460 風(fēng)筒方案立功科技

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。

2022-06-15

SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓

25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。

2022-06-15

直流快充電源模塊柵極驅(qū)動(dòng)

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

在IGBT時(shí)代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。

2022-06-15

SiC MOSFET 門極電壓

性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場(chǎng)提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...

2022-06-15

SiC FET 高壓市場(chǎng) 解決方案

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