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電源管理

如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動態(tài)特性

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實現(xiàn)高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù)，以實現(xiàn)他們的設(shè)計目標(biāo)。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。

2022-07-05

SiC MOSFET 動態(tài)特性

瑞薩電子與易靈思及中印云端合作共同拓展異構(gòu)SoM應(yīng)用市場

2022 年 7 月 4 日，中國上海、深圳訊 – 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723），與專注于國產(chǎn)FPGA的易靈思（深圳）科技有限公司（以下，易靈思）和AIoT解決方案供應(yīng)商中印云端（深圳）科技有限公司（以下，中印云端）今日宣布，合作共同推出ProMe系列異構(gòu)SoM（System on Module）。...

2022-07-04

瑞薩電子易靈思 SoM

用于汽車負載應(yīng)用的上橋SmartFET驅(qū)動器

上橋SmartFET因其易于使用和高水平的保護而越來越受歡迎。與標(biāo)準(zhǔn)MOSFET一樣，SmartFET非常適合各種汽車應(yīng)用。它們的區(qū)別在于內(nèi)置在上橋SmartFET器件中的控制電路。控制電路持續(xù)監(jiān)控輸出電流和器件溫度，同時針對電壓瞬變和其他意外應(yīng)用條件提供被動保護。這種主動和被動保護功能的結(jié)合確保了穩(wěn)定可...

2022-07-04

汽車負載 SmartFET 驅(qū)動器

Trinamic步進電機控制模塊助力抗擊瘧疾

瘧疾是世界上最致命的傳染病之一。這種疾病在亞洲、非洲和南美洲的熱帶地區(qū)十分常見，越早診斷，越能有效治療。標(biāo)準(zhǔn)瘧疾檢測需要由訓(xùn)練有素的技術(shù)人員在顯微鏡下檢測血液樣本，以確認是否存在瘧原蟲，以及瘧原蟲的數(shù)量和類型。僅在印度，每年就會進行1.75億次瘧疾檢測。

2022-07-04

Trinamic 步進電機控制模塊

如何為工業(yè)應(yīng)用選擇高安全性功率繼電器

為工業(yè)應(yīng)用選擇合適的繼電器需要深思熟慮。選擇這些產(chǎn)品的常用考慮因素包括檢查所需的電壓和電流，以及繼電器最大可用空間等方面，而且要注意任何特定組件的間隔距離。其它一些更復(fù)雜的考慮因素還包括是否有適用于該具體應(yīng)用的安全標(biāo)準(zhǔn)。本文將討論設(shè)計工程師在開發(fā)工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用以及選擇合適的繼...

2022-07-04

工業(yè)應(yīng)用繼電器

安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計挑戰(zhàn)

隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UP...

2022-07-04

安森美 SiC方案 UPS

簡單的電氣隔離！

許多電路都需要電氣隔離，通常使用變壓器來提供這種電氣隔離。許多不同的拓撲結(jié)構(gòu)都是通過變壓器來傳輸電能，反激式轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的電路類型，尤其適用于大約50 W或更低的功率。

2022-07-01

電氣隔離轉(zhuǎn)換器 ADI

為ADAS設(shè)計更好的高電流開關(guān)電源！

在如今的車輛之中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)的重要性與日俱增。它們可以幫助盡可能減少人為操作錯誤，提升駕駛員和道路安全。早期的ADAS只包含單個自動駕駛員輔助功能，例如使用一個雷達傳感器的自適應(yīng)巡航控制功能?，F(xiàn)在，越來越多的ADAS功能被應(yīng)用到汽車上，例如自動緊急停車、盲點監(jiān)測、車輛/行...

2022-07-01

ADAS設(shè)計開關(guān)電源

SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程

使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關(guān)可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進行了比較。

2022-07-01

SiC FET 起源 UnitedSiC

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