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電源管理

1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導體

對于采用先進、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應用市場而言，經(jīng)過優(yōu)化的各種功率半導體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結合改進型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應用滿足現(xiàn)代化變頻器的要求。

2009-01-22

IGBT4-T4 IGBT4-E4 IGBT4-P4 IGBT 功率模塊

歐盟EuP指令升級洗衣機企業(yè)應對積極

近日，歐盟EuP指令(能耗產(chǎn)品生態(tài)設計指令)再度升級，產(chǎn)品覆蓋面拓寬，將洗衣機、洗碗機、冷凍家電三大類產(chǎn)品納入其中。特別值得一提的是，由于目前歐洲市場上的上述產(chǎn)品大部分來自我國，歐盟啟動新一輪綠色壁壘，對我國家電業(yè)的影響不可低估。目前海爾、美的等國內(nèi)洗衣機企業(yè)已經(jīng)成立了專門的部門研...

2009-01-22

EuP指令白色家電待機能耗綠色制造

AOS推出11款500伏設備應用MOSFET

AOS宣布發(fā)行11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和熒光燈照明應用等的一系列交直流電源和適配器上，新型500伏設備均有用武之地。、

2009-01-21

MOSFET 高壓電源開關損耗

合理選擇電容器來實現(xiàn)高性能的EMI濾波

電容是解決EMI問題最常用的元件，要為不同的應用選擇合適的濾波電容，寄生參數(shù)是非常重要的考慮因素。本文介紹了多層陶瓷電容器(MLCC)、引腳電容器、穿心電容器寄生參數(shù)的計算方法，對工程師選擇EMI濾波電容具有指導意義。

2009-01-21

旁路電容去耦電容噪聲電磁干擾寄生參數(shù) 工藝射頻電路 MLCC 插入損耗阻抗

Si8422DB ：Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。

2009-01-21

Si8422DB MICRO FOOT TrenchFET MOSFET 便攜設備

FPF202x：飛兆半導體最低靜態(tài)電流的IntelliMAX負載開關

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為生物測定傳感器模塊的設計人員帶來了具有業(yè)界最低靜態(tài)電流的先進負載開關。FPF2024、FPF2025、FPF2026 和FPF2027是 IntelliMAX先進負載開關系列的產(chǎn)品，可將靜態(tài)電流降至最低，并延長電池壽命。

2009-01-20

傳感器負載開關 IntelliMAX FPF2024 FPF2025 FPF2026 FPF2027

中國汽車電子行業(yè)潛力大新能源車與農(nóng)村市場受關注

我國汽車電子的行業(yè)特點是：自主企業(yè)與國際汽車電子技術差距拉大；汽車電子行業(yè)區(qū)域集中化加強；進軍汽車電子是家電企業(yè)的新機遇；汽車電子行業(yè)標準亟待出臺；汽車電子產(chǎn)品占整車價值比例提高；汽車電子產(chǎn)品廣泛應用于智能交通；新能源車促進汽車電子行業(yè)發(fā)展；農(nóng)村市場值得汽車電子企業(yè)重視。

2009-01-15

汽車電子新能源車電控裝置

3G牌照發(fā)放將拉動2萬億社會投資

1月7日，我國三大電信運營商分獲三種制式3G牌照。3G啟動將拉動國內(nèi)需求、促進經(jīng)濟平穩(wěn)較快發(fā)展，并將整個中國通信產(chǎn)業(yè)帶入一個新時代

2009-01-14

3G TD-SCDMA CDMA2000 WCDMA 無線通訊內(nèi)需

08年國內(nèi)高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%

國內(nèi)20多個省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點，規(guī)劃或計劃建設多晶硅項目，國內(nèi)對千噸級多晶硅的規(guī)模化生產(chǎn)技術尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產(chǎn)能增長快，為國內(nèi)多晶硅企業(yè)提升工藝技術留下緩沖時間。

2009-01-14

洛陽中硅新光硅業(yè) 江蘇中能東汽峨嵋多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) 太陽能

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