- 柵極-源極間的電壓為15V
- 漏極-源極間的電壓為4V左右
- 電流值接近90A
- 功率模塊
三菱電機(jī)面向過(guò)電流保護(hù)電路試制出了具有“電流感測(cè)功能”的SiC制MOSFET，并在功率半導(dǎo)體相關(guān)國(guó)際學(xué)會(huì) “ISPSD 2011”上進(jìn)行了發(fā)布。這是用于同時(shí)內(nèi)置有驅(qū)動(dòng)電路和過(guò)電流保護(hù)電路的SiC功率模塊的 MOSFET。該模塊此前已經(jīng)公開(kāi)，但此次是首次公開(kāi)MOSFET的具體性能。
此次試制的MOSFET除了用于電源電路開(kāi)關(guān)的主要MOSFET單元以外，還針對(duì)電流測(cè)量功能在一片芯片上配備了將電流進(jìn)行部分分流的小型MOSFET單元。芯片尺寸為3.3mm見(jiàn)方。過(guò)電流保護(hù)電路用來(lái)監(jiān)控該分流電流的大小，當(dāng)檢測(cè)到電流值超過(guò)一定值時(shí)（過(guò)電流），就會(huì)切斷驅(qū)動(dòng)電路（柵極驅(qū)動(dòng)電路）。
MOSFET單元的主要性能如下：柵極-源極間的電壓為15V、漏極-源極間的電壓為4V左右，電流值接近90A。換算成電流密度為100A/cm2。此時(shí)，室溫下的導(dǎo)通電阻為3.6mΩcm2。三菱強(qiáng)調(diào)，即使是在230℃的高溫環(huán)境下，導(dǎo)通電阻也只有6.9mΩcm2。
另外，如果向電流感測(cè)MOSFET分流的電流值為1，那么在室溫下流向主要MOSFET的電流值相當(dāng)于4400。雖然溫度越高這個(gè)比值越小，但是變化量很小。例如，溫度175℃時(shí)為4000左右。
