- PowerFill外延硅工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充
- 可以實現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間
- 電源管理器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
Fairchild半導體公司是第一家客戶，以處理其先進電源管理器件，已完成其在韓國工廠的核實。對于這種應用，ASM的PowerFill的處理可以實現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產(chǎn)成本。
“對于離散式功率的要求MOSFETs是要降低電阻導通，降低柵極電荷和提高電流能力” Fairchild的技術處理主管C.B. Son表示。 “具備PowerFill的Epsilon工具的性能一直令人印象深刻的，其一個重要的有利因素就是我們可以成功地融入這一先進的溝槽外延處理，能我們認識到，因成本節(jié)省而帶來的加工吞吐量的顯著改善。”
與其它需要通過外延反應堆進行多重傳遞來實現(xiàn)類似設備結構的處理相比而言，創(chuàng)新后的ASM Epsilon溝槽填補技術的開發(fā)能夠在無縫隙外延處理一步完成。單一步驟的處理能夠使硅外延處理的吞吐量增加三倍，同時保持無縫隙填充的特性，均勻性好，產(chǎn)量高。ASM外延技術總監(jiān)Shawn Thomas說到：“這種高速溝槽填充技術的開發(fā)將是展示ASM與客戶合作，使先進的材料和批量生產(chǎn)外延技術的一個例證”。
