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通信廣電

35TQC10M：三洋電機(jī)高分子鉭固體電解電容器

三洋電機(jī)上市了額定電壓35V的導(dǎo)電性高分子鉭（Ta）固體電解電容器“35TQC10M”。外形尺寸為7.3mm×4.3mm×1.9（±0.1）mm。與該公司現(xiàn)有額定電壓25V的產(chǎn)品尺寸相同，但提高了耐壓。主要面向液晶電視及液晶顯示器。三洋電機(jī)表示，將電容器應(yīng)用到液晶電視上時(shí)，層壓陶瓷電容器會(huì)因壓電共振現(xiàn)象而產(chǎn)生聽覺(jué)噪...

2009-02-27

鉭固體電解電容器固體電解電容三洋 35TQC10M 35V 耐壓

Mouser獲Microchip公司“2008年度杰出銷售成就獎(jiǎng)”

近日，Mouser宣布榮獲Microchip科技2008杰出銷售成就獎(jiǎng)，Microchip科技是全球領(lǐng)先的微控制器和模擬產(chǎn)品的制造商。

2009-02-27

2008杰出銷售成就獎(jiǎng) 微控制器模擬產(chǎn)品 Mouser Microchip

陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(六)

本編文章中，陶老師論述了電磁感應(yīng)產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的原理和解決方法；輻射干擾的產(chǎn)生原理和解決方法。

2009-02-26

電磁感應(yīng) 傳導(dǎo) 電磁干擾開關(guān)電源

電子信息產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)去年進(jìn)出口平穩(wěn)增長(zhǎng)

2008年，面對(duì)不利的國(guó)際金融和經(jīng)濟(jì)形勢(shì)，我國(guó)電子信息全行業(yè)認(rèn)真克服各種困難和挑戰(zhàn)，積極拓展國(guó)際市場(chǎng)，產(chǎn)品進(jìn)出口貿(mào)易保持平穩(wěn)增長(zhǎng)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與貿(mào)易方式調(diào)整更加深入，繼續(xù)在全國(guó)外貿(mào)發(fā)展中發(fā)揮著重要的推動(dòng)作用。

2009-02-26

電子信息產(chǎn)品

日立展出1.9mm見(jiàn)方的LSI集成型壓力傳感器

日立制作所展出了芯片尺寸為1.9mm見(jiàn)方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的，與該公司此前發(fā)布的3.4mm見(jiàn)方的試制品相比，體積大幅縮小。

2009-02-26

壓力傳感器 LSI集成型壓力傳感器

上網(wǎng)本逆勢(shì)擴(kuò)張向高端化發(fā)展

如今的市場(chǎng)狀況對(duì)于各大PC廠商而言可謂挑戰(zhàn)重重，在面臨國(guó)際金融危機(jī)帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)低迷、市場(chǎng)需求乏力的同時(shí)，更要面臨原材料、人力成本的上漲帶來(lái)的雙重壓力。受經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響，在如今筆記本電腦市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力的時(shí)候，上網(wǎng)本(NetBook)成為筆記本市場(chǎng)上一道靚麗的風(fēng)景線。市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IDC公司預(yù)計(jì)，200...

2009-02-26

上網(wǎng)本金融危機(jī) IDC 華碩海爾惠普 PC

MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振的比較優(yōu)勢(shì)

本文重點(diǎn)介紹了MEMES振蕩器與傳統(tǒng)石英振蕩器的比較優(yōu)勢(shì)。

2009-02-25

MEMS振蕩器石英晶振精度 Sitime 供貨周期頻率抖動(dòng) 擴(kuò)頻

研究顯示液晶電視更不利于視力健康

中國(guó)電子商會(huì)消費(fèi)電子產(chǎn)品調(diào)查辦公室聯(lián)合中國(guó)少先隊(duì)事業(yè)發(fā)展中心青少年健康測(cè)評(píng)辦公室開展的“彩電產(chǎn)品與青少年視力健康課題研究”結(jié)果今日公布，本次課題研究專門考察了青少年觀看彩電用眼衛(wèi)生習(xí)慣與視力不良之間的關(guān)聯(lián)度。

2009-02-24

CRT 等離子 LCD 液晶電視

東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達(dá)36%

面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達(dá)到了36%。發(fā)光波長(zhǎng)為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。

2009-02-23

近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶

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