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通信廣電

UWB芯片深入城市每一條“神經(jīng)末梢”！紐瑞芯“創(chuàng)芯版圖”再升級(jí)，劍指數(shù)字中國時(shí)空基底

智能調(diào)度道路交通設(shè)施，絲滑應(yīng)對城市交通錯(cuò)峰問題；車輛出場、進(jìn)高速自動(dòng)預(yù)約，還能按時(shí)長、距離自動(dòng)支付；自駕車提前預(yù)約充電車位，讓車位提前等你；公共交通精準(zhǔn)卡點(diǎn)乘坐成為常態(tài)；必經(jīng)之店的咖啡提前排好訂單、午餐排號(hào)早上就已提前預(yù)約就緒、晚餐食材提前預(yù)購……

2024-09-04

UWB 芯片創(chuàng)芯版圖數(shù)字

ADI的智能工廠專業(yè)知識(shí)助您選擇合適的IO-Link從站收發(fā)器

選擇IO-Link從站收發(fā)器時(shí)，我們先要考慮該器件支持的連接器引腳功能的數(shù)量和類型。有些智能工廠器件可能只需要一個(gè)C/Q引腳來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸/切換，MAX22514非常適合此類任務(wù)。有些器件可能需要IO-Link連接，其中包括額外的數(shù)字輸入(DIN)，以傳輸來自基本傳感器或按鈕開關(guān)的信號(hào)。在這種情況下，MAX225...

2024-09-03

ADI 智能工廠 IO-Link 收發(fā)器

如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例

隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲(chǔ)充一體化市場為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場競爭者。

2024-09-03

SiC器件封裝技術(shù)

音頻變壓器的詳細(xì)的知識(shí)

除了升高或降低信號(hào)電壓外，變壓器還具有另一個(gè)非常有用的特性，即隔離。由于變壓器的初級(jí)和次級(jí)繞組之間沒有直接的電氣連接，因此變壓器的輸入和輸出電路之間提供了完全的電氣隔離。連接在放大器和揚(yáng)聲器之間的音頻變壓器也可以利用這種隔離特性。

2024-09-03

音頻變壓器

單級(jí)小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)

幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)。基本的放大器電路由雙極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號(hào)會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過...

2024-09-02

單級(jí)小信號(hào) RF 放大器

深入了解數(shù)字音頻接口TDM在軟硬件配置中的問題

在 PCB 板內(nèi)的音頻設(shè)計(jì)時(shí)，很多時(shí)候都是以模擬信號(hào)作為前后輸入輸出，但是板內(nèi)更多是以數(shù)字信號(hào)為主，例如我們可以看到各種 aux、同軸、蓮花口等信號(hào)輸入。只要音頻需要進(jìn)行處理，一般都是需要轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)來進(jìn)行的，比如當(dāng)我們在用 FPGA、DSP、單片機(jī)等系統(tǒng)時(shí)。大多數(shù)情況下，簡單 2 通道的實(shí)現(xiàn)在...

2024-09-02

數(shù)字音頻接口 TDM 軟硬件配置

適用于電化學(xué)傳感器的運(yùn)算放大器

電化學(xué)氣體檢測元件需要恒定的偏置才能正常準(zhǔn)確地運(yùn)行，這可能會(huì)消耗大量功率。當(dāng)器件處于空閑或休眠模式時(shí)，正常的電源管理系統(tǒng)往往會(huì)試圖讓這些器件都保持關(guān)斷狀態(tài)。然而，電化學(xué)傳感器需要數(shù)十分鐘甚至幾個(gè)小時(shí)才能穩(wěn)定下來。因此，檢測元件及其偏置電路必須處于“始終接通”狀態(tài)。此外，對于...

2024-08-30

電化學(xué)傳感器運(yùn)算放大器

雙色LED點(diǎn)陣顯示器行、列引腳的識(shí)別與檢測

雙色點(diǎn)陣顯示器有共陽型和共陰型兩種類型。圖13—20所示是8×8雙色點(diǎn)陣顯示器的電路結(jié)構(gòu)，圖13—20（a）為共陽型點(diǎn)陣顯示器，有8行16列，每行的16個(gè)LED（兩個(gè)LED組成一個(gè)發(fā)光點(diǎn)）的正極接在一根行公共線上，有8根行公共線，每列的8個(gè)LED的負(fù)極接在一根列公共線上，共有16根列公共線，共陽型點(diǎn)陣顯示器...

2024-08-30

雙色LED 點(diǎn)陣顯示器

什么是IGBT的退飽和（desaturation）？什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？

這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成...

2024-08-30

IGBT 退飽和

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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？