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通信廣電

如何提高混合集成電路的電磁兼容性

混合集成電路（Hybrid Integrated Circuit）是由半導(dǎo)體集成工藝與厚（薄）膜工藝結(jié)合而制成的集成電路?；旌霞呻娐肥窃诨嫌贸赡し椒ㄖ谱骱衲せ虮∧ぴ捌浠ミB線，并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外加封裝而成。具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等...

2023-01-18

混合集成電路電磁兼容性

基于驅(qū)動大功率LED的EMI降低方法

水質(zhì)監(jiān)測系統(tǒng)中紅外輻射所需的大功率LED模塊工作于高電流方波信號，這種信號可能會在系統(tǒng)的生物電極傳感器上引起強電磁干擾(EMI)，從而導(dǎo)致水質(zhì)數(shù)據(jù)的不準(zhǔn)確。本設(shè)計實例示出了一種降低EMI的方法，并用例子進行了詳細(xì)描述。

2023-01-18

驅(qū)動大功率LED EMI

基于無線傳感器超低功率能量收集器的供電系統(tǒng)設(shè)計

測量和控制所需的超低功率無線傳感器用量的激增、再加上新型能量采集技術(shù)的運用，使得能夠制造出由局部環(huán)境能量而非電池供電的全自主型系統(tǒng)。

2023-01-18

無線傳感器供電系統(tǒng) 能量收集器

什么是電子管（真空管）？

現(xiàn)在我們知道，愛迪生效應(yīng)的本質(zhì)，是熱電子發(fā)射。也就是說，燈絲被加熱后，表面的電子變得活躍，“逃”了出去，結(jié)果被金屬銅絲捕獲，從而產(chǎn)生了電流。

2023-01-18

電子管真空管

制作RF設(shè)計原型的更好方法--使用X-Microwave

對于RF設(shè)計，典型的原型制作經(jīng)驗是這樣的：為信號鏈中的每個元器件購買評估板，使用RF線纜將這些板串在一起，粗略估計適當(dāng)布局的信號鏈要是構(gòu)建在單個生產(chǎn)PCB上會有怎樣的性能。由于評估板PCB走線較長，并且涉及到大量布線和連接器，因此這種方法會產(chǎn)生相當(dāng)大的插入損耗。由此得到的原型上線測試過...

2023-01-18

RF設(shè)計 X-Microwave ADI

什么是電源交叉頻率

當(dāng)選擇一個可從單電源產(chǎn)生多輸出的系統(tǒng)拓?fù)鋾r，反激式電源是一個明智的選擇。由于每個變壓器繞組上的電壓與該繞組中的匝數(shù)成比例，因此可以通過匝數(shù)來輕松設(shè)置每個輸出電壓。在理想情況下，如果調(diào)節(jié)其中一個輸出電壓，則所有其他輸出將按照匝數(shù)進行縮放，并保持穩(wěn)定。

2023-01-17

電源交叉頻率

直流系統(tǒng)性能劣化導(dǎo)致基站瞬斷的解決方案

本文針對現(xiàn)網(wǎng)宏蜂窩基站部分老舊開關(guān)電源下電和恢復(fù)電壓參數(shù)設(shè)置受限，當(dāng)配套的蓄電池組性能劣化時，會導(dǎo)致在交流停電后，開關(guān)電源反復(fù)給設(shè)備供斷電，引起基站頻繁瞬斷的情況，考慮在直流供電系統(tǒng)中引入獨立的供斷電判斷機制，經(jīng)過實驗，成功解決了此類基站的瞬斷問題。

2023-01-17

直流系統(tǒng)性基站

詳解：大電流MOSFET的門極驅(qū)動峰值電流的計算方法

大電流MOSFET的使用廣泛，它們的導(dǎo)通電阻低，電流能力較大，適合在各種開關(guān)電源中應(yīng)用，在具體的器件驅(qū)動電路設(shè)計中，需要注意其門極電容較大，適合的門極驅(qū)動器需要有足夠的電流，去將門極電容充電，從而使電壓達(dá)到Vth，進而在系統(tǒng)允許的時間內(nèi)去完全導(dǎo)通。

2023-01-17

大電流MOSFET 門極驅(qū)動峰值電流

17V輸入、雙通道1A輸出同步降壓型穩(wěn)壓器具有超低靜態(tài)電流

LTC?3622 雙通道 1A 同步單片式降壓型穩(wěn)壓器可為電池供電型系統(tǒng)和便攜式設(shè)備以及通用負(fù)載點調(diào)節(jié)提供緊湊、高效率的電源。纖巧型 14 引腳、3mm × 4mm DFN 封裝可承受 2.7V 至 17V 的輸入電壓，從而產(chǎn)生兩個精度為 0.6V 至 V 的可調(diào) ±1% 輸出在同時在兩個通道上提供高達(dá) 1A 的輸出電流。

2023-01-16

降壓型穩(wěn)壓器超低靜態(tài)電流 LTC3622

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