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智能家居

0402尺寸高Q值/超小型獨石陶瓷電容器

以手機/智能電話等小型移動設備的高功能化為背景，隨著電路板上搭載元器件數(shù)量的增加，對于電容器則要求小型化、低背化。高Q值電容器由于其自身損耗小，就能降低對組合電路整體的損耗，主要用于手機/智能電話的天線周圍及功率放大器（以下稱為PA）的匹配及耦合。

2012-11-14

0402尺寸超小型電容器

電源模塊中低電磁干擾設計的折中方法

電源的電磁干擾水平是設計中最難的部分，設計人員能做的最多就是在設計中進行充分考慮，尤其在布局時。由于直流到直流的轉(zhuǎn)換器很常用，所以硬件工程師或多或少都會接觸到相關的工作，本文中我們將考慮與低電磁干擾設計相關的兩種常見的折中方案。

2012-11-14

EMI 電磁干擾

放大器輸入保護...福兮禍兮?

當今的許多高速運算放大器都具有片上輸入保護。在大多數(shù)情況下，這種保護對用戶是透明的；但在某些應用中，這種保護可能是電路的致命弱點。本文討論輸入保護需求、實現(xiàn)及其潛在的缺點。本文還給出利用具有輸入保護功能放大器的替代方案與電路方案。

2012-11-14

放大器輸入保護

放大器輸入保護...福兮禍兮?

2012-11-14

放大器輸入保護

D類音頻放大器的設計原理和方法

D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應用很有意義?設計一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? D類放大器產(chǎn)品的特點是什么? 本文將回答上述所有問題。

2012-11-14

D類音頻放大器 ADI 原理方法

D類音頻放大器的設計原理和方法

2012-11-14

D類音頻放大器 ADI 原理方法

具備降低EMI和RFI干擾的有源擴頻時鐘產(chǎn)生器IC

安森美半導體推出有源擴頻時鐘產(chǎn)生器IC，用于降低便攜、消費及計算應用的電磁干擾。擴頻時鐘產(chǎn)生器可以節(jié)省電路板空間，符合EMI規(guī)范，無須費錢耗時的重新設計。

2012-11-14

EMI RFI 有源擴頻時鐘產(chǎn)生器IC

IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片

IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518，擁有獨有的調(diào)試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。

2012-11-13

DDR3 內(nèi)存美光

可實現(xiàn)2.5kW電源GaN功率器件

【導讀】富士通半導體量產(chǎn)可實現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件，意在在電源裝置領域?qū)崿F(xiàn)優(yōu)化應用，并在電路設計方面給予技術支持，為開發(fā)多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。

2012-11-13

電源 GaN 富士通

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