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安防監(jiān)控

美開發(fā)納米設(shè)備充電裝置可為微電子產(chǎn)品供電

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道，美國萊斯大學(xué)在儲能設(shè)備微型化研究方面取得新進(jìn)展，開發(fā)出兩款微型的充電裝置，一種是薄膜式超級電容器，另一種是可充放電的納米線，有望為將來的微型電子產(chǎn)品和納米設(shè)備提供電源。這兩項(xiàng)研究分別發(fā)表在近期《自然-納米技術(shù)》網(wǎng)站和《納米快報(bào)》上。

2011-08-12

充電微電子激光電池

Fluke 190 Series II ：福祿克推出便攜式二通道示波表用于測量測試

福祿克（Fluke）公司，便攜式電子測試和測量技術(shù)的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，近日推出Fluke 190 Series II 系列便攜式二通道示波表，該新品將二通道示波表與 5000 計(jì)數(shù)數(shù)字萬用表和無紙記錄模式相結(jié)合，打造了先進(jìn)的測試和測量工具，維修和維護(hù)專業(yè)人員可以依賴這些工具在現(xiàn)場對設(shè)備性能問題進(jìn)行故障排查。

2011-08-12

便攜式示波表電力信號電力系統(tǒng)

瞬時(shí)通斷測量儀測量方案

瞬時(shí)通斷測量儀是為配合此試驗(yàn)而產(chǎn)生的設(shè)備，在繼電器抖動試驗(yàn)過程中，它可準(zhǔn)確無誤地檢測出繼電器每路觸點(diǎn)瞬時(shí)出現(xiàn)的誤動作，本文研究對此類設(shè)備的測量方法。　　

2011-08-12

瞬時(shí)通斷測量儀繼電器信號采集

一種混合信號實(shí)現(xiàn)LED降壓升壓驅(qū)動電路

針對照明應(yīng)用的大功率LED要采用恒流源驅(qū)動，一些標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動電流常常用在不同LED生產(chǎn)商的產(chǎn)品中，其中，350mA和700 mA最為常見。根據(jù)串聯(lián)結(jié)的類型和數(shù)量，LED兩端的正向壓降可能不同。許多生產(chǎn)廠商的大功率LED產(chǎn)品都在單個(gè)模塊中集成了多個(gè)結(jié)。

2011-08-12

LED 降壓升壓驅(qū)動電路開關(guān)電源

MOSFET的選型及應(yīng)用概覽

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關(guān)注。本期半月談將會從基礎(chǔ)開始，探討MOSFET的一些基礎(chǔ)知識，包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等等；最...

2011-08-12

MOSFET 溝道 MOSFET選型 LED燈具驅(qū)動

AEM科技喜獲UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)

AEM科技（蘇州）股份有限公司于北京時(shí)間7月28日取得UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)。這是中國大陸境內(nèi)第一家限流熔斷器生產(chǎn)商獲得本項(xiàng)資質(zhì)，將使AEM熔斷器新產(chǎn)品的UL認(rèn)證周期大大縮短，為加快研發(fā)成果商品化及高效服務(wù)客戶提供了便利。

2011-08-11

AEM UL 實(shí)驗(yàn)室

尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響

隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度。

2011-08-11

MOSFET 溝道溝槽式接觸導(dǎo)通電阻

BRIC模塊的電源管理和功耗

Pickering Interfaces公司的BRIC模塊在密度很高的格局內(nèi)安放了很多繼電器。BRIC模塊只用到了PXI底板上左手邊的插槽，而為了給模塊進(jìn)行供電，可以使用在底板上排列比較緊湊的右手邊的其他空余插槽，并且只消耗一個(gè)活動插槽的功率。

2011-08-11

BRIC 繼電器電源管理開關(guān)

解決高頻開關(guān)電源的電磁兼容問題

本文重點(diǎn)對鐵路信號電源屏使用的1200W（24V/50A）高頻開關(guān)電源模塊所存在的電磁騷擾超標(biāo)問題進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)措施。高頻開關(guān)電源產(chǎn)生的電磁騷擾可分為傳導(dǎo)騷擾和輻射騷擾兩大類。傳導(dǎo)騷擾通過交流電源傳播，頻率低于30MHz；輻射騷擾通過空間傳播，頻率在30～1000MHz。

2011-08-10

高頻開關(guān)電源電磁兼容開關(guān)電源 EMC EMI

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