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羅姆開發(fā)出世界最小的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管！

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社近日面向智能手機和數(shù)碼相機等追求小型、薄型化的各種電子設(shè)備，開發(fā)出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管。

2012-05-09

快速恢復(fù) 二極管智能手機數(shù)碼相機

更低功耗、更高隔離電壓 Avago推出新型5MBd數(shù)字光電耦合器

通信、工業(yè)和消費應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零部件的領(lǐng)先級供應(yīng)商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出ACPL-M21L/021L/024L/W21L/K24L光電耦合器產(chǎn)品系列。相較于市場上其他相近的5MBd產(chǎn)品，這些光電耦合器的功耗更低。ACPL-x2xL光電耦合器面向滿足使用者對于低功耗、更高隔離電壓、更好共模抑制(...

2012-05-09

Avago 5MBd 數(shù)字光電耦合器

飛兆半導(dǎo)體新型柵極驅(qū)動光耦合器為設(shè)計人員帶來高絕緣電壓和高抗噪性能

太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及馬達(dá)驅(qū)動等大功率工業(yè)應(yīng)用需要能夠處理690VAC以上電網(wǎng)電壓和高于1000 VDC恒定直流電壓的柵極驅(qū)動光耦合器。為了達(dá)到這個目標(biāo)，爬電距離和間隙距離至少要達(dá)到10mm。同樣地，惡劣環(huán)境逆變器(Harsh Environment Inverter, HEI)等應(yīng)用在690VAC電網(wǎng)條件下甚至要求更大...

2012-05-09

飛兆半導(dǎo)體柵極驅(qū)動光耦合器

我國關(guān)鍵電子元器件發(fā)展亟待突破“瓶頸”

制造LED芯片所使用的金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備主要由德國和美國兩家公司供貨，生產(chǎn)觸摸屏所用的玻璃基板主要由美國和日本的幾大廠商控制，有機半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光材料專利主要掌握在日本與韓國廠商的手中。

2012-05-09

關(guān)鍵電子元器件

開關(guān)電源降低功耗及提高其待機效率的方法

隨著能源效率的日益重要，人們對開關(guān)電源待機效率期望越來越高，客戶要求電源制造商的電源產(chǎn)品能滿足綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。而大多數(shù)開關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入待機狀態(tài)時，電源效率急劇下降,待機效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。

2012-05-09

開關(guān)電源功耗待機效率

一種大功率LED照明電源解決方案

介紹采用PFC控制器CM6807和諧振半橋控制器CM6900的350W高效（>90%）高功率因數(shù)（>0.95）LED照明電源解決方案。該方案適用于直至1kW的電源供應(yīng)器，可用于LED照明、LED路燈、大型LED看板和大功率體育場館照明等。

2012-05-09

CM6900 恒壓恒流晶體管

智能型LED太陽能路燈系統(tǒng)的設(shè)計

提出一種新型的智能化控制的LED 路燈系統(tǒng)，將太陽能電池板的輸出電壓經(jīng)過DC/DC 升壓電路，并引入了基于CVT 法的MPPT 控制策略。利用模擬開關(guān)4051 及PIC 實現(xiàn)了對路燈系統(tǒng)工作狀態(tài)的實時監(jiān)測與控制。并簡要介紹了Zigbee通訊組件在系統(tǒng)中的相關(guān)應(yīng)用。

2012-05-09

智能型 LED 太陽能路燈

存在串?dāng)_時的一種創(chuàng)新抖動分離方法

串行數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)迅猛發(fā)展，大幅度改善了PC和服務(wù)器系統(tǒng)的性能。測試這些更高速的標(biāo)準(zhǔn)、找到抖動證據(jù)，對長期穩(wěn)定性及在設(shè)計中實現(xiàn)優(yōu)異的誤碼率（BER）目標(biāo)至關(guān)重要。為高效進(jìn)行分析，首先要選擇適當(dāng)?shù)膬x器，很好地了解儀器噪聲、上升時間及三階諧波性能、四階諧波性能、五階諧波性能等因素。

2012-05-09

串?dāng)_ 抖動分離

4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)紀(jì)錄

Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件實現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷，在10V電壓下實現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。

2012-05-09

TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導(dǎo)通電阻 Vishay

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