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測(cè)試測(cè)量

美韓科學(xué)家制成世界上首個(gè)分子晶體管

研究人員說(shuō)，苯分子在附著到黃金觸點(diǎn)上后，就可以發(fā)揮硅晶體管一樣的作用。研究人員能夠利用通過(guò)觸點(diǎn)施加在苯分子上的電壓，操縱苯分子的不同能態(tài)，進(jìn)而控制流經(jīng)該分子的電流。

2009-12-29

美韓科學(xué)家首個(gè) 分子晶體管

3G投資催動(dòng) 電子元器件公司有機(jī)會(huì)

在大唐電信、烽火通信的帶領(lǐng)下，通信板塊的熱點(diǎn)已開(kāi)始向電子元器件板塊擴(kuò)散。昨日兩市漲幅榜前列，電子元器件股占了多數(shù)。

2009-12-29

大唐電信通信電子元器件

2010電子產(chǎn)業(yè)展望之看好10個(gè)好的信號(hào)

對(duì)于電子產(chǎn)業(yè)而言，現(xiàn)在已經(jīng)顯現(xiàn)出積極的信號(hào)。但2010年又會(huì)如何呢？進(jìn)入2010年，市場(chǎng)上將會(huì)向大家傳達(dá)一些好的、以及不好的信號(hào)。下面讓我們一同分享來(lái)自不同分析師的觀點(diǎn)。

2009-12-29

EETime 電子產(chǎn)業(yè) 展望

PCB 專(zhuān)業(yè)人員何去何從?

了解電路板布線專(zhuān)業(yè)人員的未來(lái)本身就是一個(gè)重要的問(wèn)題，但如果是暗示這些設(shè)計(jì)工程師需要“繼續(xù)前進(jìn)”，則是另外一回事。這其實(shí)是指一個(gè)正在收縮的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，而在一個(gè)快速發(fā)展的技術(shù)產(chǎn)業(yè)中，說(shuō)起熵的概念總是讓人心煩意亂。本文從整體方面講解PCB的發(fā)展趨勢(shì)

2009-12-29

PCB 布線 FPGA

手工無(wú)鉛焊接實(shí)際知識(shí)問(wèn)答

隨著電子產(chǎn)品不斷的趨向環(huán)?；?，”無(wú)鉛焊接”這個(gè)議題已經(jīng)在過(guò)去的10年被慢慢的重視起來(lái)。相對(duì)于不厭其煩地重復(fù)討論無(wú)鉛焊接的理論、優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)，我們會(huì)在這里提供一些針對(duì)手工無(wú)鉛焊接的實(shí)際問(wèn)題方案。

2009-12-29

無(wú)鉛焊錫有鉛焊臺(tái) 焊接測(cè)試工作坊

2010中國(guó)國(guó)際航空航天技術(shù)與設(shè)備展覽會(huì)

2009-12-28

2010中國(guó)國(guó)際航空航天技術(shù)與設(shè)備展覽會(huì)

DDR測(cè)試系列之四——漫話DDR3

DDR3將在未來(lái)的兩年內(nèi)加速占領(lǐng)更多的市場(chǎng)份額，Intel的Core i7處理器以及AMD的Phenom II處理器均內(nèi)置內(nèi)存控制器并且支持DDR3，同時(shí)Core i7處理器將不支持DDR2。

2009-12-28

DDR 測(cè)試 DDR3 處理器內(nèi)存

RC系列：Seielect 推出Ogle緩沖和消能應(yīng)用的碳電阻器

RC系列碳成分的軸向引線電阻適合用于開(kāi)關(guān)電源以及許多其它緩沖和消能應(yīng)用中。器件有多種型號(hào),包括用在儀表和數(shù)據(jù)采集的器件以及各種照明產(chǎn)品,能經(jīng)受住浪涌沖擊。該器件有1/4W，1/2W和1W額定值，電阻范圍為1歐姆~22M歐姆。標(biāo)準(zhǔn)公差為5%和10%。單價(jià)從$0.10到捎大于$1，取決于尺寸大小、電阻值、公差和...

2009-12-28

RC Seielect Ogle緩沖消能應(yīng)用碳電阻器

華富集團(tuán)開(kāi)發(fā)出36V/42V高效無(wú)鎘蓄電池

江蘇化富集團(tuán)開(kāi)發(fā)的３６Ｖ／４２Ｖ新型高效無(wú)鎘動(dòng)力鉛蓄電池，日前通過(guò)國(guó)家檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)。

2009-12-28

江蘇化富集團(tuán) 無(wú)鎘動(dòng)力鉛蓄電池

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