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測試測量

IRF6706S2PbF/IRF6798MPbF ：IR推出新型25V DirectFET 芯片組

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。

2010-04-19

IRF6706S2PbF IRF6798MPbF IR DirectFET 芯片組

阿特斯陽光電力榮獲加拿大安大略省176兆瓦光伏項(xiàng)目的承包

阿特斯陽光電力，日前宣布獲得安大略省176兆瓦地面光伏電站項(xiàng)目的承包。此批項(xiàng)目將遵從安大略省最新出臺的太陽能上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 政策。安大略省的上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 是加拿大綠色能源和綠色經(jīng)濟(jì)法的一個(gè)里程碑。

2010-04-19

阿特斯陽光電力加拿大安大略省光伏太陽能 cntsnew

Power Integrations推出可對X電容自動(dòng)進(jìn)行放電的雙端子IC

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號： POWI ）近日宣布推出創(chuàng)新的雙端子 CAPZero 系列IC，該IC可對X電容自動(dòng)進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項(xiàng)安全標(biāo)準(zhǔn)。

2010-04-19

CAPZero系列 IC Power Integrations X電容

適用在極端惡劣環(huán)境下的新款薄膜貼片電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。

2010-04-19

惡劣環(huán)境薄膜貼片電阻電阻

2010年便攜式電腦年增長率將達(dá)26% 平板電腦出貨量超5百萬

根據(jù)DisplaySearch第一季度Quarterly Advanced Notebook PC Shipment and Forecast Report，便攜式電腦市場預(yù)期在2010年增長到2億1千5百萬臺，營業(yè)額達(dá)1千170億美金。Apple iPad與其它電腦品牌陸續(xù)推出平板電腦將使得平板電腦市場急劇升溫。DisplaySearch認(rèn)為平板電腦有機(jī)會(huì)從傳統(tǒng)翻蓋式筆記本電腦...

2010-04-19

便攜式電腦筆記本平板電腦

2010年，中國成長為全球第二大電子書市場

自亞馬遜(Amazon)于2007年發(fā)表Kindle后，2009年電子書閱讀器市場開始邁向成長期。據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計(jì)，全球電子書閱讀器2010年第1季出貨量已超越120萬臺，年成長率超過200%。

2010-04-19

電子書電子書閱讀器漢王中國市場

DisplaySearch:2009年EPD出貨已達(dá)5百萬片

電子書的流行，特別是亞馬遜書店出版的Kindle引領(lǐng)潮流，根據(jù)DisplaySearch最新一季中小尺寸面板出貨及預(yù)測調(diào)查研究中指出，2009年電子紙 (EPD)出貨量達(dá)5百萬片，與2008年95萬片比較成長幅度高達(dá)417%。而DisplaySearch因應(yīng)市場需求特于報(bào)告中增加電子書的類別，并細(xì)分不同尺寸，同時(shí)包含大家所關(guān)注的...

2010-04-19

中國電子書 EPD

東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器

東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。

2010-04-19

東京大學(xué) 單層碳納米管鈦酸鋰鋰離子電容器

IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。

2010-04-19

IR 導(dǎo)通電阻耐壓功率MOSFET

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